重点摘要
- 华邦电 1Q26 营收 382.5 亿元，优于市场预期，主要受惠记忆体部门价量齐扬。
- 毛利率 53.4%，季增 11.5 个百分点、年增 27.7 个百分点，主因 ASP 季增高达双位数。
- DDR4／LPDDR4 结构性供给缺口预期将延续至 2028 年以后，短期内供给改善空间有限。
- NOR 及 SLC NAND 需求强劲，2026 年底前价格上行趋势明确。
- 预计 2026 年全年资本支出 405 亿元，95% 用于记忆体事业。董事会另新通过 73 亿元资本支出，其中超过 50 亿元用于添购 CUBE 生产设备。
- CUBE 已开始进行量产讨论，定位为高毛利产品，2027 年将进入重要贡献期，主要应用于 AI 伺服器周边。
- 待高雄厂产能开出后，将陆续与重要客户签订三年 LTA，确保量与价格区间。
1Q26 财务概况
简明损益表
| 单位：百万元 | 1Q26 | 市场共识 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 38,253 | 35,888 | 43.7% | 91.3% |
| 营业毛利 | 20,415 | 19,186 | 83.2% | 298.6% |
| 营业利益 | 12,550 | 10,858 | 206.7% | - |
| 税后净利 | 10,114 | 8,783 | 195.5% | - |
| EPS(元) | 2.25 | 1.96 | 195.5% | - |
重要财务比率
| 重要比率 | 1Q26 | 市场共识 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|
| 毛利率 | 53.4% | 53.5% | 11.5 ppts | 27.7 ppts |
| 营利率 | 32.8% | 30.3% | 17.4 ppts | 37. ppts |
| 净利率 | 26.4% | 24.5% | 13.6 ppts | 31.9 ppts |
营收占比（依产品）
| 营收占比（产品） | 1Q26 | 4Q25 | QoQ ($M) | YoY ($M) |
|---|---|---|---|---|
| CMS | 47% | 35% | 8,587 | 13,065 |
| Flash | 32% | 37% | 2,164 | 5,668 |
| Logic IC | 21% | 26% | 904 | (420) |
| Others | 0% | 2% | - | - |
各产品毛利率
| 产品毛利率 | 1Q26 | 4Q25 |
|---|---|---|
| Memory | 57% | 43% |
| Logic IC | 39% | 34% |
- 总资产大幅成长，主因发行欧元可转换债券（ECB）约 23 亿元 + 本季获利。
- 现金流：自由现金流 94 亿元，现金部位强健。
- CapEx：2026 年预计 405 亿元（Q1 已执行约 27 亿元），95% 用于记忆体事业。
关键讯息
CapEx 与产能规划
- CapEx 本季降至 40.7 亿元，主因设备交期延迟。
- 董事会新通过 73 亿元 CapEx，主要用于 2027 年：
- CUBE 生产设备超过 50 亿元。
- 高雄厂 Module B 初步规划（3-4 亿元）。
- Flash 测试机升级，晶圆产能从 2025 年 40K 提升至 2027 年 50K（位元成长预估近 50%）。
Flash 事业重点
- NOR Flash 仍为全球第一，伺服器/AI占比提升。
- NAND（尤其是 SLC NAND）占比从两年前 21% 提升至 32%，持续成长。
- 预期 SLC NAND 明年整体 NAND 成长 40%，SLC 单独成长 >80%。
- 目标：在 Core Storage 维持双料领导地位
- 冷储存（Code Storage）仍是重点，涵盖 NOR、SLC NAND、QSPI/ONFI NAND。
- 2D NAND 因 3D NAND 厂逐步退出，出现供给缺口，带来成长机会。
- 预期 2026 年 Flash 成长 >20%，2027 年随产能扩张成长 >40%。
DRAM 事业重点
- 高雄厂目前 15K 产能，明年扩至 24K。
- DDR4 / Low Power DDR4 需求强劲，价格 Q2 持续上涨。
- 库存可控，下半年逐步去化旧库存。
- CUBE已开始量产讨论，2027 年进入重要贡献期，聚焦 AI 伺服器周边。
市场展望
- AI 伺服器、资料中心、Switch、企业 SSD 需求强劲，是主要成长动能。
- 非 AI / PC 市场需求延迟但未消失，长期仍看好。
- 整体记忆体供给吃紧（尤其 DDR4 / LP DDR4 与 2D NAND），价格趋势向上。
- 地缘政治与材料供应风险仍需留意，但客户长约需求增加。
核心观点
华邦电 1Q26 财报惊艳，供给缺口短期难以缓解
华邦电 1Q26 营收达 382.5 亿元，优于市场预期，主要受惠记忆体部门价量齐扬。其中，CMS 位元出货量与 ASP 皆呈双位数季增，Flash 虽位元出货量季减低十位数百分比，但 ASP 季增达中三十位数百分比，推升整体营收呈现突破性成长。展望未来数季，NOR 与 SLC NAND 需求维持强劲，尤其伺服器、车用及 AI 相关应用供给持续吃紧，2026 年底前价格上行趋势明确。CMS 方面，受 HBM 排挤效应影响，DDR4／LPDDR4 结构性供给缺口预期将延续至 2028 年以后，短期供给改善空间有限；同时，公司积极扩充产能，高雄厂目前月产能约 15K，明年将扩增至 24K，有望进一步推升营运动能。整体而言，华邦电短期将持续受惠记忆体价格上行趋势，中长期则有望由 2027 年 CUBE 产品线接手成为重要成长动能，营运展望维持正向。
Q&A
Q1： 请问目前 DRAM 是否有类似 Flash 的参考图表？
从 2025 年底到 2027 年初，成长预计可达 80%。目前高雄厂产能从 15K 扩增至 24K，产品组合搭配下，位元成长约 80%。此成长不会一次性发生，而是逐月逐步 ramp up，大约需花一年时间。
Q2： 企业 SSD 对 DRAM需求持续增加，主要用于支援 Flash Translation Layer。未来企业 SSD 密度提升，客户何时会转向 DDR5？
目前使用 DDR5 的客户还不多，预计明年或后年才会开始有一些采用（含低功耗 DDR5）。因产能有限，短期仍会优先支援 DDR4 与 Low Power DDR4。客户已提出希望签署长达 7~10 年的长期合约，显示 DDR4 需求仍非常强劲。
Q3： 是否有办法量化 Winbond 在企业 SSD 所使用的 Kache DRAM 量（位元数或市占）？
目前市场上企业 SSD 多使用 8GB 或 16GB 的缓冲 DRAM，32GB 还很少见。随着密度提升，未来 Buffer DRAM 用量会持续增加，「越大越好」的原则成立，以提升整体性能。
Q4： 目前大陆记忆体厂的供给情况如何？对 Winbond 有何影响？
资讯有限，NOR Flash 受影响程度约 3-5%。低阶客户受噪音问题影响较小。整体而言，Winbond 客户并未大量使用中国厂产品，影响可控。
Q5： CUBE 为客制化产品，定价是否会高于一般 DRAM？目前 DRAM 价格已大幅上涨，是否会与客户重新议价？
对新客户可能会有更高定价讨论，但对原有 CUBE 客户会遵守最初承诺。Winbond 希望 CUBE 在 AI 时代能维持稳定且较高的利润率，而非一般消费性产品的低毛利。
Q6： 关于 MLC NAND 的开发进度？
目前并无开发 MLC 的计划，仍专注于 QSPI 与单层（SLC）产品的成本优化。
Q7： 目前伺服器相关业务曝险有多大？可否拆分中低阶市场以及 NOR Flash 在伺服器的占比？
伺服器 DRAM 主要供应周边与 Switch 使用，主记忆体因需求太大暂不供应。NOR Flash 在伺服器 BIOS 用量约为 PC 的 5 倍左右，低于 PC 的 6-7 倍，未来希望逐步提升至与 PC 相当的比例。
Q8： AI 虽然带动记忆体结构性成长，但 HBM 集中在少数大厂，台湾厂商在一般记忆体的采用程度是否有限？
AI 需求强劲已排挤非 AI 供给，导致 DDR4 / LP DDR4 等产品供给持续吃紧。未来 Specialty Memory（含 CUBE）与 Commodity 市场将逐渐分道扬镳，Winbond 将专注于客制化与利基型产品。
Q9： Q1 DDR3 与 DDR4 表现如何？
DDR3 销售占比低于 20%，价格较 DDR4 高约 10%。虽然需求逐渐减少，但仍有长期客户需要支持，因此仍会持续供应。
Q10： 目前库存 252 亿元结构如何？DDR3、DDR4、NOR、SLC 各占比多少？下半年去化情况？
Flash 部分几乎已售罄，仅剩少量周转库存。DRAM 部分仍有较多旧库存，下半年将随着新产能开出逐步去化，预计到年底前可有效消化。
Q11： 三星近期对 DDR4 / LP DDR4 加速 EOL，对 Winbond 影响为何？下半年价格与供给紧张程度？
三星已转向先进制程，DDR4 供给将更吃紧。下半年价格预计较 Q1 续扬，供给缺口可能扩大。Winbond 将维持合约价格，并视市场情况调整。
Q12： 是否会与客户签署长期合约（LTA）？签约条件为何？
已开始有客户主动要求签署 3 年期 LTA，承诺量与价格区间。待高雄厂新产能明确后，会加速与重要客户签署 LTA，以确保长期供需稳定。
