SEMICON Taiwan 2026 于 9 月 2 日至 4 日于台北南港展览馆一、二馆举行，展出主题涵盖 AI 晶片、先进制程、先进封装、矽光子、量子运算与 HBM 等关键技术。本届展会所传达的核心趋势在于，先进封装的角色已由传统后段制程进一步提升为系统整合的关键环节；同时，随 AI 运算规模持续扩大，系统效能瓶颈亦逐步由单一晶片的运算能力，转向记忆体频宽、晶片间 I/O 效率与资料搬移能耗等复合性限制。整体而言，产业竞争的核心正由单纯追求运算速度，进一步转向如何提升资料传输效率与系统整合能力。
客户结构逐步分散，制程瓶颈解决方案成展会主轴
与往年相比，本届展会最明显的变化之一在于设备厂商的客户结构趋于分散。过去参展设备商的订单高度集中于台湾主要晶圆代工客户，本届则可观察到 OSAT 厂拉货力道明显增强，美系 IDM、记忆体厂，以及德州 Terafab 相关供应链台厂皆陆续传出新进展与设备送验，显示先进制程与封装设备需求正由单一大型客户逐步扩散至更多应用与客户群。
另一项显著变化在于，针对实际生产瓶颈的解决方案已成为本届展会主轴，翘曲控制、温控、精密对位与微污染防治等相关设备的展出密度明显高于往年，其中 CPO 与 TGV 相关方案更大幅增加。 随先进封装持续朝更高整合度发展，玻璃材料导入所衍生的制程难度，以及光学元件对精密对位与制程控制的高度要求，均形成新的技术门槛，也使具备相关设备与制程能力的厂商更具竞争优势。
此外，多家设备商亦主动提及导入 AI Agent，以优化设计、制程调校与问题排除流程，其中以 精测 (6510.TW) 发表的智慧代理系统 Agent P 最具完整性。 供需面亦释出偏正向讯号，部分设备交期已由原先约 6 至 9 个月进一步延长至 9 至 12 个月。尽管近期市场持续出现 AI 晶片升级或规格下修等杂音，目前尚未明显影响设备端的升级与拉货动能，反映下游资本支出与先进制程、封装设备需求仍维持强劲。
先进封装：FOPLP 逐渐开花结果
FOPLP 为本届先进封装领域中最具结构性意义的发展方向之一。 2024 年主流高阶封装面积约为单一光罩极限的 3.3 倍，预期至 2030 年将进一步提升至 14 倍，甚至超过 20 倍。随封装尺寸持续放大，圆形晶圆的面积利用率明显下降，相较之下，方形面板利用率可达 95% 以上，因此在大尺寸先进封装应用中，FOPLP 具备更佳的材料利用效率，整体生产成本可望较晶圆级方案降低约 30% 至 50%。
目前各厂商的技术与量产路径已逐步分化。日月光 (3711.TW) 以 310mm 方形面板作为标准化切入点，已完成 8 层高密度 RDL 开发，并规划先以大型面板完成前段制程，再切割为四块 310mm 面板，以衔接既有自动化组装产线；制程方面则导入狭缝式涂布与 LDI 雷射直接成像，大幅提升光阻利用效率。 力成(6239.TW) 则透过 Clear 与 Pidal 平台实现 1μm 线宽线距及上下合计 10 层的高密度 RDL，目前已交付封装面积达 5.5 倍光罩尺寸的 AI 加速器产品。传统面板厂亦积极切入，群创 (3481.TW) 已利用 700×700mm 玻璃基板量产车用 RFIC，良率达 99.5%；友达(2409.TW) 则与康宁合作展示镀铜 TGV 玻璃核心基板，由双方分工完成雷射打孔与铜金属化制程，显示既有面板制造能力正逐步延伸至先进封装领域。
不过，FOPLP 目前仍面临多项关键技术瓶颈。随面板尺寸放大，翘曲控制、气流均匀性与电镀均匀度等制程难度均明显提升；另一方面，玻璃材料的导热能力低于矽中介层，在高功耗 AI 晶片应用下亦将增加散热设计难度。 依元大预估时程，目前面板级封装量产线仍处于验证阶段，预计于 2027 年下半年确认量产设备规格，2028 年上半年设备开始大量出货，终端产品则可望于 2028 年下半年至 2029 年上半年进入较大规模量产，显示 FOPLP 短期仍以制程验证与设备投资为主，真正进入规模化贡献阶段仍需等待 2028 年之后。
矽光子与 CPO：技术路径收敛，测试与光学对位成关键瓶颈
CPO 为本届 SEMICON Taiwan 最受关注的技术主轴之一，核心驱动力来自日益明显的 I/O Wall。 台积电 (2330.TW) 指出，AI 晶片算力每两年约成长 3 倍，但记忆体频宽与晶片间 I/O 频宽仅分别成长 1.6 倍与 1.4 倍，传统铜线已逐步逼近高频、长距离传输极限，推动资料传输架构加速由电转光。台积电目前以 COUPE 为主要技术平台，透过 SoIC-X 整合 EIC 与 PIC，并发展 CPO-MCM 与 CPO-OOI 两种架构；日月光则由封装端切入，透过 FOCoS-Bridge 推进光引擎与运算晶片整合。整体而言，产业技术路径已逐步收敛至高密度光电整合与光引擎近晶片化。
相较架构选择，测试与光学对位已成为 CPO 量产真正瓶颈。目前耦合损耗需控制于 0.3dB 以下，但制程与组装段仍多落在 0.5 至 1dB；可拆卸式光纤阵列的对准误差亦需控制在 0.3 度以内。此外，光电双端测试设备单台重量可达 6 至 8 吨，对厂房承重、微振动控制与设备整合提出更高要求。
台湾设备商亦已加速进入验证阶段，包括 鸿劲（7769.TW） 布局 Insertion 4 光电同测，旺矽 (6223.TW) 、汉测(7856.TW) 推进 Insertion 2 与 3，万润 (6187.TW) 与 惠特 (6706.TW) 聚焦 FAU 耦合与贴合设备，泛铨 (6830.TW) 则切入光电双端测试，钛升 (8027.TW) 则以雷射加工降低 FAU 制程成本。整体而言，CPO 技术方向已逐步明确，后续产业能否真正进入规模化量产，关键将落在测试标准建立、光学对位效率提升，以及设备端能否同时兼顾精度、速度与成本。
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记忆体：由基本零件转向战略资源，频宽、能效与架构全面升级
随记忆体供需持续吃紧，价格上涨已成为市场趋势。面对成本攀升，本届记忆体高峰论坛所传达的核心讯息在于，记忆体已由传统电子零组件逐步转变为决定 AI 系统效能与整体成本的战略性资源。 随 AI 模型规模快速扩张，GPU 运算效能成长速度明显高于 HBM 频宽，且资料搬移所需能耗远高于实际运算，使记忆体成为 AI 基础架构的主要瓶颈。目前 HBM 已占 AI 加速器成本约 70% 至 75%，因此即使记忆体价格持续上升，产业决策逻辑亦由单纯追求最低 TCO，逐步转向以 TVO 或其他单位 Token 数量来衡量整体投资效益，更重视记忆体对系统效能、能耗与产出效率所创造的价值。
TCO（Total Cost of Ownership，总持有成本）： 衡量一套设备从买进到使用期间的总成本。不只是晶片采购价格，还会包含伺服器、电力、散热、机房、维护等成本。
TVO（Total Value of Ownership，总持有价值）： 相较于 TCO 更偏向「投资报酬与产出效率」的衡量框架，进一步评估这些投入能够转化为多少实际业务价值与运算产出。
各大记忆体厂的技术路径亦由单纯提升容量，转向垂直堆叠、近存运算与记忆体池化。 Samsung 透过 Z-HBM 与 PIM 将逻辑运算更靠近记忆体，Micron 推进 Memory-on-Logic 架构，SK Hynix 则将客制化逻辑整合至 HBM Base Die，并透过 CXL 建立共享记忆体池，核心目标皆在降低资料搬移能耗并提升有效频宽。
此外，NAND 的定位亦由储存装置逐步延伸至 AI 推论记忆体阶层，SanDisk 以 HBF 提供较低成本的大容量方案，Google 与 群联 (8299.TW) 亦分别透过记忆体分层、KV Cache 优化及本地化 AI 架构提升资源使用效率。 整体而言，未来 AI 记忆体竞争重点已不再只是堆叠更多容量，而是如何以更高频宽、更低能耗与更有效率的资源配置支撑 token 产出，记忆体的重要性也因此由零组件层级提升至系统架构层级。
厂务耗材：制程升级与扩产带动在地供应链成长
台积电持续推进先进制程与 3D 架构，后续 A12 将导入晶背供电，逻辑、记忆体与封装亦同步朝更高层数与复杂度发展，进一步增加薄膜沉积、蚀刻、CMP 与厂务系统需求。 扩产方面，台积电 2026、2027、2028 年在建案量至少分别达 16、16 与 5 座，并同步推进高雄白埔产业园区，强化先进封测与设备验证量能，整体资本支出与在地供应链需求仍维持高档。
在制程升级与扩产双重带动下，耗材与厂务设备迎来明确成长动能。 中砂 (1560.TW) CMP 钻石碟于 3nm、2nm 制程市占已达 70% 至 80%，1.4nm 亦开始出货，而晶背供电导入可望额外增加约 20% 至 25% 的 CMP 道数。钰祥(7909.TW) 受惠微污染防治需求提升，目标 2028 年营收达 2025 年既有业务的 5.4 倍；锐泽(7703.TW) 则已取得美系记忆体台湾厂二次配统包案，在手订单提升至约 30 亿元；群翊 (6664.TW) 亦表示 2026 年订单已满、2027 年接近满载，并开始观察 2028 年后需求。另一方面，台积电 2025 年间接原物料在地采购比例已达 66%，零配件则提升至 48%，并持续朝 2030 年零配件在地采购 60% 的目标推进，显示随制程复杂度提升、扩产加速与供应链在地化深化，台湾耗材与厂务设备商可望持续受惠。
测试：AI 晶片复杂度推升需求，晶圆散热开启台厂新机会
测试为本届展会中成长动能最明确的领域之一，主要驱动力来自 AI 晶片测试时间延长与复杂度提升。 随高阶晶片功耗突破 1,000W、Socket Pin Count 提升至 10k 以上，高阶 Socket 与探针卡需求同步增加。颖崴 (6515.TW) 推出 Hypersocket，锁定 100×100mm² 以上、20,000 Pin 以上的大尺寸高脚数架构，以复合式弹性橡胶体取代传统探针接触，降低锡球损伤风险，但单价较现行 Coaxial Socket 高约 30%。精测 (6510.TW) 则展出 45,000 针的 2-Die MEMS 探针卡，并完整布局四大测试环节，产能于 2026 年 8 月底已较 2025 年底倍增，并规划于 2027 年上半年再增加 50%，反映高阶测试需求持续升温。
另一项值得关注的新需求为晶圆散热。台积电于先进测试论坛多次指出，过去温控设备主要集中于 FT Handler、Burn-in 与 SLT Handler，未来 Prober 机台上亦须导入气冷、液冷与多点式感测器，以因应高功耗晶片在晶圆测试阶段的散热需求。 目前 Prober 市场主要由 TEL 与 TSK 主导，汉测与鸿劲皆已投入相关研发与验证，显示晶圆级散热有望成为先进测试的新成长环节，并为台厂带来替代机会。
结论
SEMICON Taiwan 2026 的核心讯息可归纳为三条相互连动的主线。
首先，大尺寸化成为本届展会多数议题的共同起点。随 AI 封装面积预期于 2030 年前扩大至单一光罩极限的 14 至 20 倍，直接带动 FOPLP、玻璃基板、翘曲控制与高针数测试介面等需求，也使 12 吋圆晶圆在超大尺寸封装下的成本效益开始受到实质挑战。
其次，CPO 已由「是否会发生」进入「如何量产」阶段，台积电 COUPE 与日月光 FOCoS-Bridge 等技术路径逐步明确，真正瓶颈转向耦合损耗、光学对位速度与尚未完全标准化的测试规格，后续将直接影响设备商能否掌握产业由 0 到 1 的成长机会。
第三，记忆体正由成本项目升级为系统架构的一部分。当 HBM 占 AI 加速器成本比重已超过七成，产业开始透过分层记忆体、HBF、PIM 与 CXL Memory Pool 等方案改善频宽与资源利用效率，记忆体厂的角色亦逐步由零组件供应商转向系统架构的共同设计者。
