重点摘要
- 力积电 4Q25 营收 125 亿元，季增 5.5%、年增 12.2%，优于市场预期，主要受惠于记忆体价格显著上涨，带动获利结构改善，毛利率由负转正提升至 6.6%。
- 已与 Micron 签署意向书，将以分阶段方式转让铜锣厂，预计取得 18 亿美元现金；同时，Micron 将预付 HBM 后段产能费用，并协助精进先进节点 DRAM 制程技术。
- 与塔塔电子合作顺利，技术服务费已累计 1.43 亿美元入帐。
- 预估 2026 年资本支出为 3 亿美元，高于 2025 年的 2.86 亿美元，主要用于 DRAM 精进以及技术需求设备，但最终会依 Micron 合作案调整。
- 目标于三年内将 3D AI Foundry 营收占比提升至 20%，目前矽中介层需求持续增温且良率表现稳定；WoW 已开始少量出货，4 层堆叠认证进展顺利，预计于 2027 年转入量产阶段。
- 管理层预期记忆体供给缺口预期持续至 2026 下半年。
4Q25 财务概况
简明损益表
| 单位：百万元 | 4Q25 | 市场共识 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 12,495 | 12,071 | 5.5% | 12.2% |
| 营业毛利 | 794 | (158) | - | - |
| 营业利益 | (719) | (873) | - | - |
| 税后净利 | (654) | (1,488) | - | - |
| EPS(元) | (0.16) | (0.18) | - | - |
重要财务比率
| 4Q25 | 市场共识 | QoQ | YoY | |
|---|---|---|---|---|
| 毛利率 | 6.4% | (1.3%) | 12.9 ppts | 17.5 ppts |
| 营利率 | (5.8%) | (7.2%) | 16.9 ppts | 11.9 ppts |
| 净利率 | (5.2%) | (12.0%) | 17.8 ppts | 8.3 ppts |
营收占比（依地区）
| 4Q25 | 3Q25 | |
|---|---|---|
| 台湾 | 49% | 47% |
| 亚洲（不含台湾） | 23% | 27% |
| 欧美 | 28% | 26% |
营收占比（依应用）
| 4Q25 | 3Q25 | |
|---|---|---|
| PMIC | 21% | 19% |
| DDIC | 9% | 12% |
| IMC | 8% | 8% |
| CIS | 4% | 3% |
| DRAM | 34% | 33% |
| Flash | 6% | 7% |
| 其他 | 18% | 18% |
2025 财务概况
简明损益表
| 单位：百万元 | 2025 | 2024 | YoY |
|---|---|---|---|
| 营业收入 | 46,730 | 44,726 | 4% |
| 营业毛利 | (1,537) | 525 | - |
| 营业利益 | (5,960) | (7,965) | - |
| 税后净利 | (7,813) | (6,777) | - |
| EPS(元) | (1.86) | (1.64) | - |
重要财务比率
| 2025 | 2024 | YoY | |
|---|---|---|---|
| 毛利率 | (3.3%) | 1.2% | (4.5 ppts) |
| 营利率 | (12.8%) | (17.8%) | 5.0 ppts |
| 净利率 | (16.5%) | (15.2%) | 0.7 ppts |
关键讯息
记忆体代工产品线
- 市场供需结构性失衡，供给缺口预期持续至2026年下半年。
- DRAM：高端AI伺服器排挤中低端产能，推升DDR3/DDR4等利基型产品价格；ASP急速上升。
- Flash：SLC NAND因韩厂退出而供给减少，合约价/现货价明显上涨；NOR Flash客户验证完成，去年底开始放量，今年持续提升，车规产品验证正向。
逻辑代工产品线
- Q4出货持平，但2026年1月起需求强劲回升（AI记忆体排挤 + 去中化布局 + P5转让影响）。
- 12吋：驱动IC（DDIC）、感测器、PMIC价格自1月起调升；AI伺服器PMIC主力客户Q4完成验证并放量；手机PMIC中长期需求成长（5G用量为4G的2.5倍）。
- 8吋：IT需求下修，但AI伺服器/边缘运算带动功率元件（MOSFET等）需求不减反增；2月起产能吃紧，3月起价格调升；考虑将部分竹南8吋无尘室改装为12吋先进封装；未来新增矽电容等产品线。
- 整体：逻辑代工已从谷底回升，未来数季需求大于供给。
3D AI Foundry 产品线
- 目前营收占比约3%，目标三年内达20%。
- 矽中介层（Interposer）：需求增温，良率稳定；P5厂原计划扩至4,000-5,000片/月，因出售将移回新竹，维持此规模；2027 Q1可恢复。
- WoW（Wafer on Wafer）：已少量出货，4层堆叠认证顺利，预计2027年转量产；8层堆叠开发中。
- 将支援美光HBM后段晶圆代工（PWF）；积极移转产品线回新竹，预投片降低客户冲击。
未来布局与转型
- 与美光签署意向书（LOI），分阶段转让铜锣厂（P5为主），获18亿美元现金；美光预付HBM后段产能，建立长期代工伙伴；美光协助精进低节点DRAM技术。
- 转型目标：以AI应用为核心的专业晶圆代工厂，聚焦高附加价值产品（3D AI DRAM、矽中介层、矽电容/IPD、PMIC、MOSFET/GaN/IGZO等）。
- 与塔塔电子（Tata）合作顺利，技术服务费累计1.43亿美元入帐；共同开发印度逻辑代工市场。
- 产能调整：铜锣厂机台/产线移回新竹；汰换旧设备、低毛利产品；强化高毛利线（记忆体、PMIC、3D AI Foundry）。
核心观点
力积电 4Q25 亏损收敛，2026 年将转亏为盈
力积电 4Q25 营收达 125 亿元，季增 5.5%、年增 12.2%，优于市场预期，毛利率由负转正提升至 6.6%；若排除正在出售的铜锣 P5 厂影响，当季毛利率可达 17%，显示本业获利结构已明显改善。记忆体市场方面，供需结构性失衡态势明确，供给缺口预期将延续至 2026 年下半年，其中 DRAM 受高阶 AI 伺服器需求排挤中低阶产能配置影响，带动 DDR3、DDR4 等利基型产品价格快速上扬，ASP 显著改善；Flash 则因韩系大厂退出 SLC NAND 市场导致供给收缩，合约价与现货价同步走升，NOR Flash 客户验证已完成并自去年底起开始放量，今年出货动能可望持续增强，车规产品验证进展亦维持正向。
其他产品线方面，逻辑代工于 4Q25 出货持平，但自 2026 年 1 月起在 AI 记忆体排挤效应、去中化布局及 P5 厂转让带动下需求明显回升；12 吋制程中，DDIC、感测器与 PMIC 自 1 月起调升价格，AI 伺服器 PMIC 已完成验证并开始放量，手机 PMIC 亦受惠于 5G 用量提升而具中长期成长动能，整体逻辑代工业务已自谷底回升，未来数季需求可望维持供不应求。
整体而言，在多项业务同步复苏并呈现结构性成长动能，加上铜锣厂出售不仅可一次性挹注现金、亦可显著降低未来折旧与固定成本负担的情况下，公司整体营运体质已明显改善，获利杠杆逐步显现，2026 年可望顺利实现转亏为盈。
力积电深化与 Micron 合作，改善营运体质并带动中长期成长动能
公司表示与 Micron 的合作将聚焦三大面向：分阶段转让铜锣厂以取得 18 亿美元现金、承接 HBM 后段晶圆代工订单并由 Micron 预付设备款支持专线产能，以及共同精进 DRAM 技术以提升容量与效能；其中 HBM 后段代工仍处于产线建置与试产阶段，最快 2027 年开始贡献营收，目标 2–3 年内推升 3D AI Foundry 营收占比至约 20%。铜锣厂转让除一次性挹注现金外，亦可逐步消除每年约 45–50 亿元的折旧负担并大幅降低负债，改善现金流与自由现金流，有助公司转向高毛利产品结构；产线移转过程将透过预投片与价格调整降低冲击，对 2026 年营运目标影响有限。
整体而言，与 Micron 的合作案不仅可显著提升营运效率与财务弹性，亦有助加速公司产品与制程升级、优化成本结构，并为中长期获利能力与成长动能奠定更稳固的基础，且随着与 Micron 关系日益深化，公司未来承接更多高附加价值订单的能见度亦明显提升。
Q&A
美光合作与铜锣厂转让
Q1：美光合作情况？三大项目是什么？
三大项目：(1) 铜锣厂（P5为主）转让获18亿美元现金；(2) 已取得HBM后段代工订单，美光预付设备款支持购买设备，提供专线生产；(3) DRAM技术精进（从DDR3基础提升容量与速度，超越4GB及DDR3制程）。合约仍在谈判中，细节不便透露。
Q2：与美光合作何时开始贡献营收与利润？需要多久时间？
分两阶段。PWF（HBM后段晶圆代工）目前讨论产品线架设与试产，今年难见效，最快2027年开始贡献。目标2-3年内3D AI Foundry（含PWF）营收贡献约20%。属刚性需求，双方承诺深厚，但时程视生产线安装、验证、量产爬坡而定。
Q3：与其他厂商的合作洽谈是否持续？
与美光确认合作后，短期内无余力大规模展开其他合作。未来一两年全力专注技术衔接、工程与商务细节。
Q4：美光技术推进细节？
技术精进将优于原有成果，在原有基础上显著提升。细节仍在洽谈中，较敏感不便透露。
Q5：铜锣厂转让后折旧减轻效益？毛利何时转正？
第四季毛利已微幅转正（全年不再亏损）。铜锣厂折旧每年45-50亿元，转让后逐步减轻，约1.5年后消失。整体折旧负担将减轻。
Q6：铜锣厂出售所得18亿美元现金用途？
主要用于大幅降低负债（铜锣厂为主要负债来源），交易后负债降至低水位，现金流与自由现金流健康，有能力进行高毛利产品调整。
Q7：铜锣厂转让流程与影响？
已签binding LOI，最终合约农历年前后签署（签完即公告）。整个铜锣厂区卖给美光，P6/P7由美光自行规划，不会在铜锣扩产。搬迁不影响客户出货（预投片、尽量降低冲击）。
Q8：产线移转过程是否影响营收、接单效率、产能利用率？
抛弃低毛利产品，转向高毛利。机台搬回新竹需清理旧设备，但价格调整与记忆体涨价可弥补。对2026年全年目标无调整，信心强烈。
Q9：美光HBM PWF制程是否有检测设备需求？
有，目前洽谈中，美光提供设备清单，多项作业进行中。
Q10：与美光合约签署后何时公布？
签完后立即公告（属重大资讯，需董事会通过）。
3D AI Foundry 与先进封装产能
Q11：interposer产能爬坡及wafer应用场景？
P5原计划扩至4,000-5,000片/月，因出售移回新竹，维持此规模。目前量产约2,000片，稳定成长。wafer应用广泛，聚焦边缘运算（edge）与物联网（IoT），如穿戴装置。
Q12：interposer产能因搬迁影响？何时恢复5K？未来扩大计划？
搬回新竹后维持4-5K水准，预计 2027 Q1 恢复。是否扩大视整体生意，目前无规划。
Q13：：WoW（Wafer on Wafer）进度？
上半年少量出货（因 P5 搬迁），4 层堆叠工程样品与一线大厂认证顺利，预计 2027 年转量产。8 层堆叠积极开发，良率提升中。
其他
Q14：与塔塔合作今年贡献？
已累计收到约 1.43 亿美元技术服务费，持续收款。今年尚未实际贡献，视执行情况。印度厂房建设中，预计 2027 下半年开始试产
Q15：与软银记忆体开发？
资讯敏感，无法提供相关资料。
Q16：是否转移部分产能至 Nexchip（合肥晶合集成）？
不会直接转移，但低毛利客户（如 DDIC、CIS ）可建议转至晶合集成承接。
Q17：地缘政治影响？是否感觉国际大厂从大陆转单？
地缘政治效应持续发酵，欧美客户不愿在大陆下单（即使简单 IC 或 MOSFET），对力积电有利。Fab IP 业务（如塔塔）态度开放，积极洽谈。
Q18：现增部分情况？
董事会通过现增计划，发行 GDR（公开发售，无特定对象）。股东会预计 4 月召开，尽速完成。稀释率预计 <10%，资金主要用于 DRAM 制程精进、3D AI 投资。
Q19：今年资本支出情况？
2026 年预计约 3 亿美元（可能上修），包含 DRAM 精进与美光讨论的技术需求设备。去年部分支出延至今年，实际金额可能不会到 3 亿（视搬迁与不确定性）。
Q20：去年第四季产能利用率细节？
整体约 82%。记忆体约 5 万片近满载；逻辑超过 80%；8吋 70-80%。未来主力 DDR3，DDR4 视美光技术进度提升。
Q21：功率元件（Power IC、PMIC）产能利用率？
8 吋超过 80%，12 吋以 PMIC 为主，已满足需求且持续扩大，取代低毛利产品，利用率持续提升。
Q22：下一季出货量与 ASP？
ASP 每月/每季持续调整（记忆体每月调价；逻辑 12 吋 1 月起、8 吋 3 月起调涨）。不便具体说明，视客户回馈。
Q23：2026 年 EPS 方向？
基于产能利用率提升、记忆体/代工价格趋势，持乐观态度。对 2026年 营收与 EPS 正向发展有信心，但不提供明确预测。
