重点摘要
- 本季营收 239 亿、季增 75%、年增 196%，非 GAAP EPS 为 12.20 元、毛利率 75%，自由现金流69 亿。第三季指引预估营收 335 亿 ± 7.5 亿、毛利率约 81%、EPS 约 19.15 ± 0.40。
- 2026 年资料中心 DRAM 与 NAND bit TAM 将首度占整体产业 TAM 超过 50%，且先进 AI 加速器的 DRAM 搭载量较去年已翻倍。
- 已开始量产出货用于 NVIDIA Vera Rubin 的 HBM4 36GB 12-high，并已送样 48GB 的 HBM4 16-high 产品，同时推进 1-gamma DRAM 与 G9 NAND 量产，预期 1-gamma 与 G9 将在 2026 年中成为各自产品线的主力节点，2027 年将提升研发投入，以支撑 HBM4E、LP 记忆体、资料中心 SSD 与客制化产品的长期机会。
- DRAM 与 NAND 目前都受到无尘室、建厂周期、HBM 较高 trade ratio 与制程微缩下每片晶圆 bit 成长放缓等因素限制，部分核心客户在中期内仍只能满足约 50% 至三分之二的需求，预估 2026 年 DRAM bit 出货成长为低 20% 区间、NAND 约成长 20%，另一方面也透过五年期 SCA 战略客户协议提升多年度供需能见度与商业模式稳定性。
- FY26 CapEx 将高于 250 亿，第三季 CapEx 约 70 亿，而 FY27 年 CapEx 将显著上升，其中建厂相关支出年增将超过 100 亿，主要用于 HBM、DRAM 与全球制造据点扩建，包括台湾 Tongluo 厂区、美国 Idaho 与 New York、新加坡 NAND 厂与 HBM advanced packaging 设施。
- 边缘 AI 将持续推升 PC、智慧型手机、汽车与机器人对记忆体容量的需求，例如具 on-device agentic AI 能力的 PC 建议至少配置 32GB 记忆体、旗舰手机搭载 12GB 以上 DRAM 的出货占比在 2025 年第四季已接近 80%，而 L4 自动驾驶车所需 DRAM 容量更超过 300GB。
- 第二季期末现金与投资达 167 亿，净现金部位达 65 亿，并在单季偿还 16 亿债务后仍宣布将季股息提高 30% 至每股 0.15 ，现阶段仍将优先投入研发、CapEx 与资产负债表强化。
FY 2Q26 财务概况
简明损益表
| 单位：百万美元 | FY 2Q26 | FY 1Q26 | FY 2Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 23,860 | 13,643 | 8,053 | 75% | 196% |
| 营业毛利 | 17,876 | 7,753 | 3,053 | 131% | 486% |
| 营业利益 | 16,455 | 6,419 | 2,007 | 156% | 720% |
| 所得税费用 | -2,504 | -977 | -214 | 156% | 1070% |
| 税后净利 | 14,021 | 5,482 | 1,783 | 156% | 686% |
| EPS(元) | 12.2 | 4.78 | 1.56 | 155% | 682% |
| 营运现金流 | 11,903 | 8,411 | 3,942 | 42% | 202% |
营运部门财务绩效
| 单位：百万美元 | FY 2Q26 | FY 1Q26 | FY 2Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| DRAM | 18,768 | 10,812 | 6,123 | 74% | 207% |
| NAND | 4,997 | 2,743 | 1,855 | 82% | 169% |
| Other (primarily NOR) | 95 | 88 | 75 | 8% | 27% |
| 总计 | 23,860 | 13,643 | 8,053 | 75% | 196% |
| 单位：百万美元 | FY 2Q26 | FY 1Q26 | FY 2Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| Cloud Memory (CMBU) | 7,749 | 5,284 | 2,947 | 47% | 163% |
| Core Data Center (CDBU) | 5,687 | 2,379 | 1,830 | 139% | 211% |
| Mobile and Client (MCBU) | 7,711 | 4,255 | 2,236 | 81% | 245% |
| Automotive and Embedded (AEBU) | 2,708 | 1,720 | 1,034 | 57% | 162% |
FY 3Q26 财测指引
| 单位：百万美元 | FY 3Q26 (G) | FY 2Q26 (A) |
|---|---|---|
| 营业收入 | 33,500 ± 750 | 23,860 |
| 毛利率 | 81% | 74.90% |
| 营业费用 | 1,400 | 1,421 |
| EPS(元) | 19.15 ± 0.40 | 12.2 |
| CapEx | 7,000 | 5,004 |
核心观点
高毛利率预期已提前反映于股价
Micron 本季财报整体表现仍属强劲。虽然营收与毛利率皆创下历史新高，但股价在盘后下跌约 5%，主因并非基本面转弱，而是市场在财报公布前已对 AI 带动下的获利能力给予高度期待，甚至一度出现毛利率上看 80% 的传闻。由于 MU 股价在财报前已累积一段明显涨幅，本次结果虽佳，却未能进一步显著超越市场偏高预期。
若回到基本面来看，公司 Q2 毛利率达 75.1%，Q3 指引约 81%，营收年增接近三位数，且管理层同步上调股息，反映其对后续获利与现金流仍具信心。近期毛利率快速提升，主要受惠于 DRAM 与 NAND 价格走强、产品组合改善，以及成本表现优于预期，另一方面，AI 伺服器对 HBM3E 的强劲需求，使记忆体大厂将更多产能配置至 HBM，进一步压缩传统 DRAM 供给，推升整体记忆体价格与毛利率表现。
至于本季毛利率未达部分市场期待的 80%，可能有几项原因。首先，HBM4 仍处于认列初期，Gamma 制程也在导入阶段，短期内可能对成本造成压力；其次，公司过去签订的长期供货协议虽有助于提升营收能见度，但在价格谈判上也可能使部分产能尚未完全反映现货市场的上行空间。此外目前 HBM 的整体利润率未必全面高于非 HBM 产品，公司亦需兼顾多元终端市场与长期客户配置，因此整体毛利率未必会在单一季度快速推升至市场最乐观预期。整体而言，本次财报更像是高预期下的正常获利了结，而非基本面出现转弱讯号。
未来运算晶片架构变化是否影响 MU 产品需求
近两年市场对新型 AI 运算晶片的讨论明显升温，从 Google 的 TPU，到 NVIDIA 与 Groq 合作的 LPU，其背后反映的都是 disaggregated inference 等新型架构趋势。由于这类晶片通常搭配大量 SRAM，市场因此担心，若未来更多推理运算平台转向以 SRAM 为核心，是否可能挤压 Micron 产品的需求空间。
不过，管理层对此给出相对明确的回应，公司认为这类新架构的核心并非取代 HBM 或 DRAM，而是提升整体 AI 基础设施的效率与扩展能力，SRAM 的增加不代表其他记忆体的重要性下降，反而更像是不同记忆体类型在系统中分工更细、彼此协作更强。例如，LPU 架构虽可能使用更多 SRAM，但整体伺服器与相关机柜配置仍需大量 DRAM 与 HBM 支援，尤其在资料搬移、模型载入与高频宽运算场景中，高容量与高频宽记忆体仍不可或缺。
进一步而言，实际上企业 AI 渗透率仍低，未来不论是 HBM、DRAM、SOCAMM 还是 SSD，整体记忆体需求仍有扩张空间。因此，运算架构的演进确实可能改变记忆体配置方式，但不必然削弱 MU 的受惠程度；相反地，在系统日益复杂、资料吞吐需求持续提高的情况下，Micron 反而有望在高频宽与大容量记忆体领域持续扮演关键角色。
Q&A
Q1: 81% 的毛利率指引要如何看待其延续性？随着 HBM4 比重提高，未来几季的毛利率应该怎么理解？五年期 SCA 和过去的 LTA 有何不同？它是否包含多年期的量价承诺与取消条款安排？
第三季毛利率指引较前季再提升 600 个基点，81% 的水准已纳入 HBM4 成长，但不提供第四季毛利率指引。AI 正带动多年期投资循环，记忆体需求不只增加，还转向更高效能产品，加上供给面限制预计延续到 2026 年之后，因此整体市场条件仍然偏强。至于 SCA，其本质上是多年期协议，与过去通常为一年期的 LTA 不同，目的是让客户取得更高的供应可预见性，也让 Micron 取得更稳定的需求承诺与商业模式能见度，但不透露具体定价、承诺细节或取消条款。
Q2: 在供给极度紧张下，公司如何在资料中心、PC、智慧手机、汽车与工业等终端市场之间分配产能？高价格是否会对 PC 与智慧手机造成需求破坏？目前关键客户大约能拿到多少比例的需求量？
目前供给在所有终端市场都相当紧张，资料中心因为产业 TAM 持续扩大而获得较多资源，但 Micron 仍希望维持多元终端市场布局，不会完全偏向单一市场。PC 与智慧手机等价格敏感型市场可能受到涨价影响而出现部分需求压抑，但整体需求仍然稳健，而且 AI 趋势也持续推升各类装置的记忆体含量。至于供需缺口，部分关键客户在中期内仍只能满足约 50% 到三分之二的需求，显示供给吃紧状况并未明显缓解。
Q3: SCA 是否设有某种机制，可以在景气下行时限制毛利率下滑幅度？如果今年自由现金流大幅增加，公司将如何运用现金？未来会优先加码回购，还是先强化资产负债表与投资？
对 SCA 的下档保护机制不提供细节，这类协议是多年期且具备具体承诺，核心目的在于提高商业模式的稳定性与能见度，目前除已签署的一份之外，也正与多家客户洽谈。至于现金配置，优先顺序仍是强化资产负债表、持续偿债、投入先进技术与高附加价值产能，同时维持资本支出与研发投资纪律。本季已获两次信用评等上调、宣布股利提高 30%，未来仍保留透过回购方式回馈股东的空间，但会先以财务稳健与有机投资为主。
Q4: 公司目前洽谈 SCA 的客户范围有多广？是否不只限于 hyperscale 客户？这类协议是否会和 CapEx 承诺或投资报酬率定价机制连动？HBM 市场规模展望是否有改变？在非 HBM 毛利率较高的情况下，产业是否会倾向把位元供给转向 DDR5 或其他产品？
已签署的第一份 SCA 来自一位大型客户，这类协议可让公司更有信心规划未来供给，也能提升需求可视度与商业模式稳定性；此外，SCA 的讨论正与多位客户进行，而且横跨多个终端市场，但不评论是否与特定 CapEx 或 ROIC 机制直接绑定。至于 HBM，目前没有更新先前给出的 HBM TAM 展望，且虽然当前非 HBM 毛利率高于 HBM，但资料中心对 HBM、DDR5、LP 与 SSD 的需求都很强，将持续动态管理产品组合，同时维持其他终端市场的合理市占。
Q5: 企业级 SSD 业务在未来几季是否仍有持续成长空间？随着 G9 节点与新一代产品推进，资料中心 SSD 是否仍是公司重要成长动能？高频宽快闪记忆体是否会成为公司投入研发的新方向？多年的 SCA 是否也反映 GPU、CPU 与 HBM 客制化设计周期拉长，进而需要更早且更深的合作？
资料中心 SSD 仍是未来的重要成长领域，因为 NAND 供给仍偏紧，而资料中心 SSD 又是推动 NAND 成长的重要驱动力。Micron 在容量与效能产品线上布局完整，且将持续把营收组合转向更高获利与更高附加价值市场，因此看好 SSD 业务延续良好轨迹。至于高频宽快闪记忆体，其具备容量等优势，但在写入速度、功耗与保存性方面仍有限制，因此短期仍处于相当早期阶段，还需与客户共同验证商业价值。对于 SCA 是否受 HBM 客制化周期驱动，管理层虽未提供细节，但明确表示这类协议确实能让公司与客户在研发协作与产品路线图规划上更紧密。
Q6: 随着更多 AI 工作负载采用 SRAM 或 LPU 等不同架构，长期记忆体市场会如何演变？这些新架构是否可能削弱 HBM 与 DRAM 的地位？公司在扩产时如何评估未来数年资料中心需求，以避免之后出现供给过剩？
任何能提高 AI 基础设施效率的架构，整体上都会让 AI 市场成长得更快，而不是排挤既有记忆体需求。LPU 架构仍与大量 HBM 与 DRAM 搭配使用，例如相关机柜架构本身就会使用大量 DRAM，因此这些新型架构更像是补充而非取代。AI 在企业端的渗透率仍然非常低，未来 across verticals 仍有庞大成长空间，而先进 AI 加速器所需的 DRAM 容量从去年到今年已经翻倍，这正是供给紧张的重要原因之一。整体而言，公司看好 HBM、LP、DRAM、SOCAMM 与 SSD 的完整产品组合都将受惠。
Q7: HBM4 导入后，公司市占是否会立即落在目标区间，还是需要时间逐步提升？当前 81% 的毛利率是否只是周期高点，还是与过去低 60% 的历史高点相比已出现结构性改变？客户对这么高的毛利率是否会有不同反应？
先前已在 2025 年第三季达成 HBM 市占与 DRAM 市占对齐的目标，之后不会再逐季揭露 HBM 市占，但管理层对 HBM4 与 HBM3E 的产品定位都相当有信心，并认为 2026 年两者都将有市场机会。至于毛利率，不应再以过去循环的历史平均来简单类比，因为这一轮与过往最大差异在于 AI 已成为结构性、长周期的驱动力，记忆体不再只是传统零组件，而是降低 token 成本、降低单位能耗、提升模型能力与扩大 AI 应用的关键资产。同时，产业还面临库存偏低、每片晶圆 bit 成长下降、HBM trade ratio 上升，以及新增产能必须依赖绿地建厂等结构性限制，因此毛利率的支撑因子比过去更耐久，客户也正透过长期协议来反映这种新现实。
