重点摘要
- ASML FY 1Q26 营收为 88 亿欧元，其中系统销售 63 亿欧元、EUV 系统销售超过 41 亿欧元且包含 2 台 High NA，另安装机台管理业务营收 25 亿欧元，表现略优于指引。
- 本季毛利率达 53%，位于公司指引高档，主因安装机台管理业务中高毛利升级项目占比较高，净利为 28 亿欧元、EPS 为 7.15 欧元，但自由现金流为负 26 亿欧元。
- 公司预估Q2 Q2 营收为 84 亿至 90 亿欧元、安装机台管理营收约 25 亿欧元、毛利率约 51% 至 52%，FY26 营收指引则上修并收敛至 360 亿至 400 亿欧元，毛利率维持 51% 至 53%，且营收将偏重下半年。
- 产能规划方面，ASML FY26 将执行至少 60 台 Low NA EUV 的产出计划，并在 FY27 将 Low NA EUV 产能提升至至少 80 台，同时使 immersion 系统产出接近 FY25 ，公司正按季提高 move rate，并同步扩充 DUV 与应用产品产能，以避免自身成为客户扩产瓶颈。
- 本次 FY26 指引上修主要来自非中国市场，中国业务在全年中点占比预估仍约 20%，未较前次改变，显示本轮 advanced logic、memory 及 immersion 扩产动能主要由非中国客户推动。
- 在 Low NA EUV 技术路线图上，短中长期生产力均优于先前规划，其中 NXE:3800E 可立即透过升级将产能提升至每小时 230 片晶圆，NXE:3800F 的规格则由每小时 250 片上修至 260 片，预计 FY27 开始出货、FY28 全面放量，管理层并指出近期已完成 1,000 瓦光源示范，支撑下个十年初 Low NA EUV 产能达每小时至少 330 片。
- High NA 方面，平台已累积处理超过 50 万片晶圆、可用率超过 80%，且客户在逻辑与 DRAM 上的技术论文显示，单次 High NA 曝光可取代目前 3 至 4 次 Low NA 多重曝光，部分关键层甚至可将制程步骤减少 10 倍，这将支援至少 3 个逻辑与 DRAM 节点的单次曝光，并可望在未来逐步带动 High NA 进入量产。
- FY25 年 DRAM 对 EUV 的采用已显著加速，美系 DRAM 客户也正明确转向更多 EUV 层数，原因不仅在于效能改善，也因 EUV 可减少 multi-patterning、降低 fab 空间压力，因此 DRAM 的产能扩张与光刻强度提升正同步推升 EUV 需求，并有利未来 High NA 的进一步渗透。
FY 1Q26 财务概况
简明损益表
| 单位：百万欧元 | FY 1Q26 | FY 4Q25 | FY 1Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 8767 | 9718.1 | 7742 | -10% | 13% |
| 销货成本 | 4121.9 | 4649.5 | 3561.8 | -11% | 16% |
| 毛利 | 4645 | 5068.6 | 4180 | -8% | 11% |
| 研发费用 | 1184.9 | 1262.3 | 1161.1 | -6% | 2% |
| 销售、一般及行政费用 | 302.3 | 375.2 | 280.7 | -19% | 8% |
| 营业利益 | 3157.8 | 3431.1 | 2737.9 | -8% | 15% |
| 利息及其他费用 | 40.9 | 11.2 | 49.2 | 265% | -17% |
| 税前利益 | 3198.7 | 3442.3 | 2787.1 | -7% | 15% |
| 所得税费用 | 546.6 | 618.7 | 465.1 | -12% | 18% |
| 税后利益 | 2652.1 | 2823.6 | 2322 | -6% | 14% |
| 权益法投资相关利益 | 104.6 | 16 | 33 | 554% | 217% |
| 净利 | 2756.7 | 2839.6 | 2355 | -3% | 17% |
| EPS（欧元） | 7.15 | 7.35 | 6 | -3% | 19% |
营运部门财务绩效
| 单位：百万欧元 | FY 1Q26 | FY 4Q25 | FY 1Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| 系统销售额 | 6279.4 | 7584 | 5740.4 | -17% | 9% |
| 净服务与现场选购销售额 | 2487.5 | 2134.1 | 2001.1 | 17% | 24% |
| 营业收入总计 | 8766.9 | 9718.1 | 7741.5 | -10% | 13% |
FY 2Q26 财测指引
| 单位：亿欧元 | FY 2Q26 (G) | FY 1Q26 (A) | FY 26 (G) | FY 25 (A) |
|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 84–90 | 87.67 | 360–400 | 326.67 |
| 毛利率 | 51%–52% | 53% | 51%–53% | 52.8 |
| 研发费用 | 12 | 12.62 | — | — |
| 销管费用 | 3 | 3.75 | — | — |
核心观点
DRAM 与先进逻辑晶片扩产带动 2026 年展望上修
2026 年半导体市场主要动能来自先进记忆体与先进逻辑制程的扩产需求。其中，记忆体端表现尤其强劲，多家 ASML 客户已表示今年剩余时间产能接近售罄，供给吃紧情况将延续至 2026 年之后；逻辑端则同步扩充多个 advanced nodes 产能，并持续推进 2 奈米制程，以支援下一代 HPC 与 mobile 应用。受此带动，ASML 客户一方面增加资本支出、加快扩产，另一方面也提升对 EUV 与 immersion DUV 的需求，推升整体光刻强度。公司因此将 2026 年营收指引上修并收敛至 360 亿至 400 亿欧元，并预期全年营收将偏重下半年，反映目前需求能见度与接单动能皆较先前更为明确。
ASML 本次上修预期主因是建立在客户中长期扩产规划逐步落地的基础上，逻辑与记忆体客户目前皆积极扩建产能，部分投资甚至已有其下游客户的长约支持，使设备需求与产能扩张更具持续性。ASML 原先预期 2026 年 non-EUV 营收大致与去年相当，但在客户持续增加 deep UV 配置后，现已改为预期将出现成长，显示本轮扩产并非只集中于 EUV，而是整体先进制程设备需求同步增强，ASML 目前对 2026 年成长的看法较上一季更为乐观，并已开始提前因应 2027 年的后续需求。
Low NA EUV 产能规格上修，High NA 已进入客户产品晶圆验证阶段
在技术与产品进展方面，ASML 表示 Low NA EUV 的生产力与产能规划持续上修，显示 ASML 也正在透过工具性能提升扩大单位生产价值。NXE:3800E 是 ASML 现行 Low NA EUV 平台中的一款先进微影设备，目前 NXE:3800E 已可透过升级将产能提升至每小时 230 片晶圆，且可立即提供给客户；NXE:3800F 的规格则由原先每小时 250 片提升至 260 片，预计于 2027 年开始出货、2028 年全面放量。而 ASML 2026 年将执行至少 60 台 Low NA EUV 的产出计划，并已准备在 2027 年将 Low NA EUV 产能提高至至少 80 台。
此外，High NA 亦即 High Numerical Aperture，是 ASML 新一代高数值孔径的 EUV 微影设备，相较于目前主流的 Low NA EUV，High NA 具有更高的光学解析能力，因此可支援更细致的线宽与更先进的制程节点，High NA 的重要性不仅在于可延伸先进逻辑与 DRAM 制程的技术边界，也在于其有机会以较少的曝光次数取代原本复杂的多重曝光流程，进而降低制程复杂度、提升生产效率，并改善先进节点下的整体成本效益。
ASML 在本次法说会提到 High NA 也逐步走向更贴近量产的阶段，平台目前已累计处理超过 50 万片晶圆，可用率超过 80%，并已看到逻辑与 DRAM 客户开始在实际产品晶圆上进行测试。从客户与 ASML 在技术会议上的分享来看，High NA 在部分应用中可用单次曝光取代目前需要 3 至 4 次 Low NA 曝光的多重曝光制程，部分关键层甚至可显著减少制程步骤，这对降低制造复杂度、提升产能效率与支援更先进节点皆具重要意义。
Q&A
Q1: FY26 营收指引 immersion 与 DUV 展望上修有多少来自中国、多少来自非中国地区？EUV 展望是否也同步变动？在 immersion 比重增加的情况下，为何 FY26 全年毛利率指引仍维持不变？
本次指引上修主要来自非中国市场，中国业务占全年营收比重的中点预估仍约为 20%，与先前看法一致。上修的主因是 immersion 供应链状况改善，使公司对 FY26 immersion 出货接近 FY25 水准的信心提高，而这部分主要供应给非中国客户。EUV 展望也略有上修，此外 installed base 业务同样维持强劲。至于毛利率未上修，管理层解释虽然 immersion 本身毛利较佳，但公司同步提高 move rate、扩编并训练人力，短期成本先行投入，因此综合正负因素后，全年 51% 至 53% 的毛利率区间仍属合理。
Q2: 目前客户给公司的需求能见度是否已延伸至 FY28 ？公司现在如何看待 FY27 与 FY28 的成长轮廓？若 FY27 Low NA EUV 产能提高到至少 80 台，是否已足以满足需求，还是仍可能供不应求？
FY28 目前仍言之过早，与客户的讨论重点仍以 FY26 交付需求与 FY27 产能准备为主。公司目前持续按季提高 move rate，并已规划 FY27 至少生产 80 台 Low NA EUV，这本身就反映客户对明年产能需求相当强劲。至于 80 台是否足够，该数字是与客户密切讨论后形成的当前对齐结果，且相关讨论仍在持续进行，因此才使用 at least 80 的说法，显示需求仍有进一步上修空间。
Q3: 为何Q2毛利率较Q1下滑，除了人员扩编外，是否还有其他产品组合因素影响？ASML 内部与供应链正在采取哪些措施来提升产能与供给能力？若 FY27 EUV 产能提升到 80 台以上，对 immersion 的需求与产能配置意味着什么？
Q2毛利率回落的主因，一是Q1 installed base 业务中出现了高毛利的升级项目，这种组合Q2不一定重现，二是公司正在为后续 move rate 提升预先扩编与训练人力，因此短期成本增加。供给端方面，管理层指出公司已在多条战线同步推进，包括先前即为 Low NA 90 台与 total DUV 600 台能力所做的供应链准备、Zeiss 光学供应改善、自身厂内空间与产能准备，以及 EUV 工具成熟度提升后带来的 factory cycle time 改善。公司也强调，增加客户可用产能不只靠新增出货，还包括工具可用率、每小时产能提升与 installed base 升级，因此若 FY27 EUV 增加到至少 80 台，immersion 需求理论上也会随之扩大，两者会同步规划。
Q4: 进入下一轮扩产周期后，若中国需求维持目前水准，公司是否还需要进一步增加 deep UV 产能？FY27 EUV 机型组合将如何变化？F 机型开始出货后，是否会推升明年的 EUV ASP？
对 total DUV 而言，目前 600 台的产能能力仍让管理层感到相对安心，若有需要也仍有其他方式可调整。对非中国客户来说，immersion 需求与 EUV 扩产高度连动，因此公司对 deep UV 与 immersion 的 ramp 也保持高度关注。机型组合方面，FY26 EUV 出货仍以 E 机型为主，D 机型约占两成；到了 FY27 ，D 机型几乎不再是主力，仍以 E 为主，但会开始导入部分 F 机型。由于 FY27 没有 D、且新增部分 F，管理层明确表示明年的 ASP 将高于今年。
Q5: 在 advanced logic 与 memory 需求紧俏的背景下，High NA 未来是否可能因能节省 Low NA 曝光次数而加快导入？F 机型每小时产能较 E 机型提升后，ASP 是否也会大致按相近幅度提高？
High NA 是否因市场紧俏而加速导入，目前仍稍早判断，但已看到多家逻辑与 DRAM 客户开始以真实产品晶圆测试 High NA，代表其正积极建立未来导入选项。尤其在 DRAM，若工具成熟度持续改善，High NA 在既有产品上导入的门槛其实不高，因此公司不排除未来几个月随产能需求持续吃紧、加上 High NA 进展推进，而出现更积极的采用。至于 F 机型 ASP，管理层表示 throughput 与 ASP 历来相关性很高，虽然定价会与客户分享部分效益，但分析师以 throughput 增幅作为 ASP 粗估的方向并不离谱。
Q6: 公司在 2024 年资本市场日提出的 DRAM 与 advanced logic 每年新增产能假设，目前是否仍适用？若未来营收高于先前框架中的 600 亿欧元，毛利率是否有机会高于原先 56% 至 60% 的区间？
随着 AI 在过去几季快速改变市场结构，先前对长期市场的假设很可能需要重新检视，尤其 DRAM 变化最大，今年新增产能看来可能高于先前讨论的水准，但公司希望等进一步消化近几季的变化后，再于明年的 Capital Markets Day 更新长期观点。至于更高营收是否意味更高毛利率，管理层指出不能只看单一变数，还需同时考量 Low NA 生产力提升与相应 ASP 上升、High NA 出货规模能否吸收固定成本、installed base 改善空间，以及 DUV 端优化，因此同样留待明年再整体更新。
Q7: 若 foundry 市场未来不再只由单一领先者主导，Samsung 与 Intel 的进展是否已开始反映在公司未来出货规划中？多家 foundry 竞争者并存对产业创新与 ASML 是否更有利？另外，ASML 如何看待 hybrid bonding 与先进封装相关机会，公司能提供哪些协助？
foundry 市场目前需求仍远大于供给，因此除了市场领导者外，其他玩家确实也有切入空间。Samsung 在 Taylor 的规划属于真实需求，会带动公司相应出货；至于 Intel 方面，公司指出其已具备一定产能，因此今年不预期会出现很大的新增出货量。长期来看，若市场由三家主要玩家共同推进，理论上将更能确保创新持续。至于 hybrid bonding 与先进封装，公司重申 3D integration 将成为提升逻辑与 DRAM 密度的重要工具，ASML 已透过 holistic lithography、量测与制程控制能力，以及 XT:260 等先进封装设备参与其中。现阶段 hybrid bonding 尤其在前段制程的实际用量仍有限，但公司持续与客户讨论未来可支援的方向。
Q8: 除了 ASML 自身产能外，客户的 clean room 与建厂进度是否仍是 FY26 与 FY27 出货的重要限制因子？目前整体环境究竟是需求受限还是供给受限？DRAM 扩产与制程迁移又将如何改变 litho intensity，并对 High NA 导入带来什么影响？
clean room 与 pedestal 准备确实曾是 FY26 的重要限制因素，但近期已有明显进展，这也是公司能同步上调 FY26 营收区间下限与上限的原因之一，代表客户建厂与空间准备正逐步明朗。管理层强调，无论记忆体或逻辑客户，目前都没有犹豫扩大 CapEx，甚至部分投资已获其下游客户承诺支持，因此当前仍是供给受限的环境。就 DRAM 而言，FY25 EUV 采用大幅加速，美系 DRAM 客户也加速转向更多 EUV 层数，这不仅改善效能，也因能减少 multi-patterning 与 fab 空间占用而提高 litho intensity。公司认为，Low NA EUV 在 DRAM 的加速渗透，长期也将为 High NA 进一步导入铺路。
Q9: 记忆体客户近期签订 3 到 5 年长约后，是否让 ASML 获得更高的需求能见度？在客户对产能高度渴求的情况下，公司是否有机会提高记忆体业务的定价或获利能力？FY27 at least 80 台的 Low NA EUV 产能目标，究竟是受客户需求、clean room 限制，还是其他因素所决定？
无论在记忆体或逻辑端，客户目前都非常公开地与 ASML 讨论市场、扩产与未来 fab 规划，因此公司对需求能见度其实相当高，而近期新建 fab 的规模也显示客户正为后续扩张预留空间。不过，管理层强调公司的定价模式并非基于客户当前供需压力，而是根据每一代工具能为客户创造的价值来取得合理分润，因此不会因记忆体市场特别紧缺而采取额外加价策略。至于 FY27 至少 80 台的规划，这是根据客户对市场的判断、fab 建设进度，以及公司认为最适合提供产能的方式所共同形成的当前对齐结果，而不只是单一限制因素决定。
Q10: Q1 installed base management 业务优于预期且带动毛利率上行，是否主要来自高毛利 upgrade 业务，而接下来全年会转回较偏 maintenance 的结构？随着 EUV installed base 扩大，maintenance 与 upgrade 两者的毛利差距是否正在缩小？若 AI 带动多年的大扩产周期，公司未来是否还能加快自身 clean room 与土地配置，以避免 EUV 成为产业瓶颈？
Q1 installed base 业务确实包含较多高毛利 upgrade 项目，但这不代表全年其余时间将只剩 maintenance，因为客户在目前产能紧张环境下仍会持续要求各类升级，只是不同升级方案的毛利结构差异很大，其中纯软体型升级毛利特别高。EUV service 业务的毛利已较四、五年前大幅改善，从当时甚至为负的水准逐步提升到接近公司整体毛利率，因此维护与升级的整体获利轮廓已改善，但 upgrade 业务内部差异仍大，无法用单一数字概括。至于未来是否加速 clean room 扩建与土地配置，公司强调不希望 EUV 成为客户瓶颈，且已事先处理好长交期项目与周边土地资源，因此未来具备相当大的弹性，可透过增加工具数量、缩短 cycle time、提高 productivity 与扩充实体空间等多种方式持续提升供给。
