延续前三篇的讨论，fiisual 的 2026 展望系列文也来到最终篇，还没看过前几篇的朋友也可以先参考看看。
2026 展望系列文 part 1 - 全球经济体在 AI 影响下的下一步
重点产业三：记忆体
2026 年 AI 展望的第二条主轴则为供给端明显吃紧的产业。与 ASIC 与散热不同，记忆体属于技术演进成熟、景气循环明确的产业。然而，AI 带动的高密度储存需求持续攀升，同时原厂资本支出大幅投入先进节点与新技术，形成对传统产能的排挤效应，使整体供需结构明显偏紧。随着供给端无法以同样速度扩张来满足 AI 驱动的需求增量，记忆体报价自 2025 年起已进入上升周期，并将在 2026 年延续成为供给缺口带动价格走扬的代表性产业。
记忆体依储存用途区分，市场聚焦 DRAM 与 NAND
记忆体产品种类众多，包括 DRAM、NAND、NOR、SRAM 等不同技术。然而在实际市场应用中，DRAM 与 NAND 分别承担了现代运算系统最核心的两项功能：运算记忆与储存记忆。由于这两者在伺服器、PC、手机与资料中心中的使用量最大、需求最稳定，两类产品合计占据全球记忆体市场绝大部分的营收与出货规模。因此，在分析记忆体产业时，市场讨论焦点通常集中于 DRAM 与 NAND 这两大主轴。
NAND Flash 为快闪记忆体，主要对应「长期储存」需求，是各类装置保存资料的关键元件。 相较于追求即时性的 DRAM，NAND 的读写速度虽较慢，但在容量、成本与资料保存特性 上具有明显优势。其单位容量大、具非挥发性、可长期保存资料，且成本结构远低于 DRAM，因此成为主流储存技术。实际应用涵盖个人端 SSD、手机与平板的内建储存空间、车用与工控设备的嵌入式储存，以及资料中心大量部署的企业级 SSD。这些场景皆需依赖 NAND 作为底层储存媒介，以因应不断成长的资料保存与存取需求。
DRAM 则为动态随机存取记忆体，主要应用于需要即时反应与高频宽吞吐的运算情境，是各类运算系统的核心主记忆体。 DRAM 的特性是存取速度极快，但单位容量成本较高、容量相对较小，因此更适合作为程式运行时的工作空间与暂存区。无论是伺服器、PC、笔电或智慧型手机，所有系统在执行作业系统与应用程式时，都必须仰赖 DRAM 作为 System Memory，以确保整体运算具备足够的即时性与资料处理效率。
HBM 由 DRAM 堆叠而成，提供高频宽、低延迟资料存取能力
HBM（ High Bandwidth Memory，高频宽记忆体） 是专为 AI 训练与推理晶片设计的记忆体系统，用于为 GPU 或 AI ASIC 提供极高频宽、低延迟的资料存取能力。本质上 HBM 属于 DRAM 的延伸，但其结构与传统 DRAM 已大幅不同：HBM 采用 TSV 等 3D 堆叠技术，将多层 DRAM die 垂直整合成 stack，并透过大宽度汇流排与高效能封装，大幅提高单一封装可提供的有效频宽，在功耗效率上也显著优于一般记忆体架构。 也因为这些技术特性，HBM 成为紧邻 AI 晶片、专门服务高频宽运算负载的 3D 堆叠 DRAM，是支撑大型模型训练与推理效能持续提升的必要基础。
原厂减产 + 超量需求双重推动 NAND 供不应求
供给端原厂 2024 底开始低 Capex、慢扩产节奏
NAND 供给端相对多元，由五大原厂 Samsung、 SK Hynix、 Kioxia、 Micron、 SanDisk 以及长江存储（YMTC） 等主要业者共同供应，市占率分布较为分散，使 NAND 市场呈现多寡头并存竞争格局。
自 2024 年底起，受市场对未来需求转弱的预期影响，五大 NAND 原厂普遍采取更严格的 Capex 控管策略。 2025 年 NAND bit 产出年增预估仅约 11%，Capex 年增亦仅 4%，主要投入在节点升级与既有产线维护，缺乏大规模新增产能规划。部分厂商甚至延续前一轮循环的供给调节策略，于 2025 年进一步削减投片量，整体减产幅度约落在 5%–30% 之间，其中三星缩减幅度最大。
在主要原厂普遍保守扩产的背景下，仅有长江存储于中国国产化政策驱动下维持积极扩产步伐，但其产品大多供应中国本土市场，对全球供给结构的影响有限。 因此，全球供应链即便在 2025 年出现温和的投片回升迹象，整体供给仍明显低于过往高点，产业主旋律仍以价格稳定与获利修复为优先，而非追求市占快速扩张。
2H25 起 AI 资料中心与企业级 SSD 需求大幅超预期
需求方面，NAND 终端应用横跨 PC／手机、消费性电子、资料中心与 SSD 等领域，原先市场普遍预期 2025 年消费性电子复苏力道有限，使 NAND 需求大多仍处于库存调整阶段。 然而，自 2H25 起情势急速反转：CSP 全面加速 AI 资料中心建置，造成主力储存媒介 HDD 出现供不应求的缺口。由于 HDD 长交期与过去多年缺乏扩产投资，已无法满足短期容量需求，迫使 CSP 以企业级 SSD 作为替代，显著推升 NAND 需求并使整体市场需求超出原先预估。
| SSD | HDD | |
|---|---|---|
| 读取速度 | 高 | 低 |
| 延迟 | 低 | 高 |
| 单位储存成本 | 高 | 低 |
| 储存密度 | 高 | 低 |
| 抗震/噪音 | 较佳 | 较差 |
| 耐用度 | 短 | 长 |
同时，随着推理 token 数持续攀升、影像生成与多模态应用快速普及，AI Server 在 NAND 耗用结构中的占比大幅提升。AI 与推理工作负载正形成结构性增量，不仅补足传统需求的疲弱，更重新塑造储存市场的需求曲线。 预估 2025 年整体 Server NAND 需求将年增 19% 至 321 EB，占全球 NAND 消耗量的比重升至约 30%，成为带动 NAND 进入新一轮成长周期的核心动能。
供给紧俏延续至 2026，NAND 结构性缺口推升价格上行风险
NAND 价格自 2Q25 起步入复苏轨道，并于 3Q25 明显转强，反映供给紧缩与需求回升的双重拉动。 展望 2026 年，在 AI 资本支出持续增加的背景下，资料中心与企业级 SSD 的需求动能预期将延续强势。然而，价格走势的关键仍取决于供给端的扩张速度。尽管多家 NAND 原厂已公布中长期扩产计划，但大部分新增产能最快须待 2027 年后才会陆续开出；至于 YMTC 的实质位元增量亦要到 2026 年以后才会逐步显现，短期内无法改变全球供给偏紧的结构。
在 AI 基础设施部署加速的前提下，预估 2026 年全球 NAND 市场约有 2% 的供给缺口，若 SSD 对 HDD 的替代速度快于预期，供给缺口更可能扩大至 5–8%，使价格上行风险显著加大。
技术 EOL + HBM 资本支出排挤带动 DRAM 价格上行
DRAM 产品目前以 DDR（ Double Data Rate）系列为市场主流。DDR 为双倍资料速率的缩写，最早于 2000 年推出，是继 SDRAM 之后的下一代标准。 随着应用对频宽与效率的需求不断提升，DRAM 原厂大约每隔数年便会推出新一代 DDR，并在工作频率、资料传输带宽及功耗效率上持续优化。目前市场已 DDR4 及 DDR5 为主流。
DRAM 的供给结构相较 NAND 更为集中，目前由 Samsung、 SK Hynix 与 Micron 三大原厂主导，合计市占率超过 85%，属于高度寡占的市场格局。 近年中国长鑫存储（CXMT）积极扩张，已成为三大原厂之外最具规模的 DRAM 供应商，并在部分中低阶产品线快速追赶。台湾方面，南亚科与华邦电亦具备 DRAM 产能，但主要聚焦于特定应用领域，在整体 DRAM 市场中占比约为个位数。
DDR4：成熟规格，但在 EOL 下维持高档
DDR4 是目前最成熟、渗透率最高的 DRAM 代际，广泛应用于传统伺服器、PC／NB、工控设备与车用电子等长生命周期产品。 这类应用普遍具有认证周期长、设计变更成本高、对价格与系统稳定性高度敏感等特性，因此即便 DDR5 已成为主流升级方向，DDR4 在许多既有平台中仍难以快速全面被取代。
原厂 DDR4 进入 EOL，台厂受惠转单效应
随着新一代记忆体技术持续推出，其性能与内含价值不断提升，当新制程的量产成本逐渐逼近旧世代产品时，原厂通常会将产能配置转向毛利结构更佳的新一代记忆体。也因此，DDR4 自 2025 年起正式进入原厂的 EOL（ End of Life）阶段，产能重心加速转向 DDR5 的趋势愈加明确。
各大原厂原先已规划明确的 DDR4 EOL 时程：Samsung 预计于 4Q25 将 DDR4 月投片比重降至「中个位数」%，并于 2H26 再降至中低个位数；SK Hynix 则计划在 2Q26 前完全终止 DDR4 生产。然而，情势在 2025 年年中出现明显转折——美国对等关税引发终端备货需求大幅上升，加上原厂 EOL 讯息持续释出，下游品牌与模组厂对供应风险的担忧升温，为确保后续生产所需的 DDR4 供给，纷纷提高报价抢货，原厂因此陆续延后 EOL 时程。
| 原先 EOL 时程 | 调整后 EOL 时程 | |
|---|---|---|
| Samsung | 2H25 大幅降至「中个位数」比重 | 延长供应至 2026 年中 |
| SK Hynix | 2Q26前完全终止 DDR4 生产 | 延长供应至 4Q26 |
| Micron | 2025 年底～1Q26 EOL 多数 DDR4 产品线，只保留少部分应用 | - |
| CXMT | 2Q25 正式启动 DDR4 EOL | 2026 年有限的 DDR4 供应 |
虽然多数 DRAM 原厂因 DDR4 价格自 2025 年起大幅上涨而选择延后 EOL 时程，但整体方向仍是逐步将产能转往 DDR5，DDR4 供给量持续呈下降趋势，然而在终端应用未能赶上迭代速度的情况下，使得仍以 DDR4 为主力产品的台厂南亚科与华邦电反而在转单效应下受惠，并逆势扩大产能以填补市场缺口。根据调查，南亚科 2026 年 DDR4 月投片量将达 52 kwpm，将正式超越 Samsung 与 SK Hynix，成为全球最大 DDR4 供应商；华邦电则预计在 2026 年提升至约 15–18 kwpm 的 DDR4 月产能，在原厂加速 EOL 后承接更多市场需求。
整体而言，虽然全球 DRAM 大厂正加速导入 DDR5，但 DDR4 在长周期应用仍具刚性需求，使台厂在此次供给收敛与转单过程中获得难得的结构性成长机会。
长生命周期应用支撑 DDR4 刚性需求
DDR4 为目前最成熟、渗透率最高的 DRAM 类型。尽管大多数 PC、伺服器等终端应用正逐步转向 DDR5，但工控、车用、网通等长生命周期产品仍存在稳定且不可替代的刚性需求。 由于这些系统的设计规格通常无法直接相容 DDR5，且重新验证周期长、成本敏感，使 DDR4 在中期内仍具相当需求量。
整体而言，预估 2026 年 DDR4 位元需求仍可维持在约 192bn Gb，显示 DDR4 虽进入成熟期，但在特定应用市场仍具备不可忽视的需求规模。
DDR4 供给收敛幅度远大于需求下滑，2026 年供不应求格局确立
综合 DDR4 的整体供需状况观察，虽然终端需求呈现缓步下滑，但供给端因原厂积极推动 DDR5、加速 DDR4 EOL，使供给下降幅度远高于需求收敛速度，形成明显的供不应求格局。更重要的是，主要 DRAM 原厂均已重申不会逆势恢复 DDR4 产能，确立 2026 年 DDR4 将持续处于供给紧俏的结构。
在价格方面，依据上一轮 DDR3 → DDR4 迭代经验可见，旧世代记忆体在供给快速萎缩时，曾出现 DDR3 报价短期高于 DDR4、且高档维持约三个季度的现象。本轮循环中，自 2025 年 6 月起 DDR4 报价即已正式超越 DDR5，显示市场供需已进入典型的供给稀缺阶段。按照历史经验推算，DDR4 的高档价格区间至少可维持至 1Q26。
然而，本轮需求动能更强于上一轮，包括工控／车用等长周期应用的验证进度推迟、以及 Server 端需求优于预期，均使 DDR4 在 2026 年上半年仍具高度需求支撑。因此预期 DDR4 报价强势行情有望延续至至少 2Q26，甚至有机会比过往循环维持更长时间，关注指标为长周期客户更改设计与验证的进度及 DDR4、 DDR5 价差。
DDR5：主流规格，需求带动价格上行
DDR5 相较于 DDR4 具备更高频宽、更佳效能，是新一代高阶 DRAM 的主流方向，其需求主要来自三大应用领域：在伺服器端，随着高核心数 CPU 与 AI 加速器平台加速普及，单机记忆体容量持续提升，使 DDR5 成为企业级伺服器与 AI 伺服器平台的标准配置。在 PC 市场，AI PC 与 Windows 10 EOL 所带动的换机潮，使 DDR5 在消费性装置中的渗透率快速提高，成为新世代 PC 的基础规格。行动端则以 LPDDR5／LPDDR5X 为主要对应技术，虽类型稍有不同，但同样属于新世代高阶 DRAM，反映出与 DDR5 一致的技术世代与性能定位。
DDR4 EOL 推升 DDR5 渗透，惟 HBM 排挤效应使供给难以同步成长
受惠于 DDR4 EOL 带来的产能转移效应，2025 年 DDR5 渗透率将提升至整体 DRAM 市场的约 80%，成为主流规格。然而，DDR5 的供给扩张并非线性成长，仍受到多项结构性因素限制：
首先，全球 DRAM 投资节奏依旧保守。 原厂的扩产策略以制程转进与产品组合调整为主，而非大幅拉高 wafer starts，意味 DDR5 供给的成长幅度主要来自单位 wafer 产出效率提升而非新增产能。第二，HBM 的急速成长对 DDR5 形成明显排挤。 随着 HBM 堆叠层数不断提升、单颗所需 DRAM die 大幅增加，三大原厂必须优先将先进节点 wafer 配额投入 HBM 生产，再以剩余产能支应 DDR5，使 DDR5 的有效供给受到压缩。
展望 2026 年，DDR5 的供给格局将延续 2025 年的趋势。由于 HBM 需求持续高速成长、堆叠层数不断提高，其对先进节点 wafer 配额的排挤效应仍将压缩一般 DRAM 的有效产能，使 DDR5 扩产速度维持相对缓慢。 真正的供给反转需待 2027 年之后，当原厂新产能陆续开出、HBM 良率与制程成熟度提升，并逐步释放先进产能瓶颈，DDR5 才可能迎来较明显的供给改善。
Server 备货需求远超预期，加剧 DDR5 供需失衡
DDR5 的需求结构主要来自 Server、 PC 与智慧型手机三大领域。 其中，2025 年 DDR5 报价之所以走强，关键在于 CSP 对 Server 记忆体的备货需求远超市场原先预期。为降低供应吃紧所带来的风险，CSP 亦提前拉高 2026 年的记忆体订单量，以确保来年库存安全水位。此一集中式备货行为使 DDR5 需求在高档维持时间延长至 2026 年底，不仅推升伺服器端采购强度，也进一步排挤 PC 与行动装置等其他应用的可用供给，使 DDR5 市场呈现持续紧俏格局。
DDR5 供需缺口扩大，紧俏格局与价格涨势将持续至 2026 年底
综合 2025–2026 年 DDR5 的供需情况观察，虽然供给在制程转进与产品组合调整下缓步增加，但整体增幅明显落后需求成长速度，使市场自 2025 年起呈现结构性的供不应求，DDR5 报价亦持续上行。其中，原厂扩产资源优先配置给 HBM，使 DDR5 可分配产能受限，加上 CSP 对 2026 年的备货需求已大部分提前锁定，使得有效供给更加紧缩。整体而言，DDR5 的紧俏格局与价格上行趋势可望延续至 2026 年底，供需缺口短期内难以缓解。
DDR4／DDR5 同步陷入结构性短缺，2H26 为价格反转关键
整体而言，DDR4 的供给下降速度明显快于需求收敛速度，而 DDR5 则呈现需求成长速度远高于供给扩张速度的格局，两者最终均导向结构性的供不应求，使价格持续走升。 目前 DDR4 涨幅大于 DDR5，显示市场对 DDR4 稀缺性的反应更为强烈，后续需密切观察两者价格差的变化，以研判跨世代产品的替代节奏与下游采购策略变化。
至于价格反转的时间点，核心仍取决于供给端的实际扩张速度。虽然多数原厂已释出自 2027 年起将启动新一轮产能扩张的方向，但目前尚未提供明确的量产节点，使 2H26 成为关键观察期。届时需要密切追踪原厂的扩产实际进度、先进节点转换效率与良率爬升情况，以判断 DRAM 供需是否可能由紧转松，进而掌握价格周期可能反转的时点。
HBM 为未来数年 DRAM 的核心成长动能
HBM 是专为 GPU 与 AI ASIC 设计的高频宽记忆体，透过 TSV 垂直贯穿技术将多颗 DRAM die 以 3D 堆叠方式整合，再借由 2.5D／3D 先进封装与 GPU/ASIC 置于同一载板或封装之内，以取得每秒数 TB 等级的极高频宽与优于 DDR5 的每位元能耗表现。 在系统架构中，HBM 目的并非长期资料储存，而是为大模型训练与推论提供即时、高吞吐的工作记忆体，以突破传统 DRAM 所面临的记忆体墙瓶颈。因此，HBM 的需求高度绑定 AI 加速器的出货节奏，被视为 AI 时代最关键的 DRAM 子产品线。
HBM 亦为未来数年 DRAM 主要成长动能。从市场结构来看，HBM 在 DRAM 整体价值中的占比已由 2022 年的 1% 急速攀升，有望在 2026 年达到约 42%，显示 DRAM 收入重心正快速向 AI 加速器倾斜；在 bit demand 面，HBM 亦从 2022–2024 年的 1%／4%／7% 加速提升至 2025E 的 17% 与 2026E 的 31%。展望中长期，HBM 市场规模至 2027 年可望突破 1,000 亿美元，其位元需求成长速度将长期超越整体 DRAM，成为 DRAM 主要产品。
2026 年 HBM 早期世代供需渐平衡，唯 HBM4 仍维持结构性紧俏
由于 HBM 技术门槛极高，目前全球供应高度集中于 SK Hynix、 Samsung 与 Micron 三家原厂。其中，SK Hynix 以在 HBM3E 世代的制程、堆叠与功耗优势取得约 80% 的市场占有率，并在 HBM4 的认证与客户导入进度上明显领先同业，持续稳居产业领跑者地位。
不过，随着 Samsung 与 Micron 陆续通过 HBM3E 与 HBM4 认证、加速与主要 CSP 与 GPU 业者的合作，其市场竞争力已开始改善，预期将逐步削弱 SK Hynix 在 HBM 市场的定价权与议价优势。尽管如此，SK Hynix 仍在技术成熟度、量产经验与客户绑定度上占据领先位置，短期内仍为 HBM 供应链的主导者。
2025 年 HBM 市场因原厂扩产尚未到位、且 Samsung HBM3E 因散热相关设计调整使验证进度落后，整体供给明显低于需求，市场处于高速扩张与严重供不应求阶段，定价权完全掌握在原厂手中。
然而进入 2026 年后，随着三大原厂扩产陆续到位、Samsung 亦完成 HBM3E 认证，HBM 整体供给将明显提升，带动早期世代产品逐步迈向供需平衡。HBM2E／HBM3 以及 Samsung 最新取得认证的 HBM3E，预期在 2026 年陆续进入供需相对均衡阶段，价格支撑力较 2025 年明显弱化。相较之下，最新一代 HBM4 在 2026 年仍处于初始量产阶段，目前仅 SK Hynix 通过早期验证（Samsung、Micron 预计于 4Q25 公布认证结果）。在认证进度差异、可用产能有限，以及 Rubin 与 CSP 自研 ASIC 对 HBM 需求强劲的背景下，HBM4 将成为唯一仍维持结构性供给紧俏的世代。
GPU 与 ASIC 世代升级，带动 2026 年 HBM 位元需求加速成长
HBM 的需求主要来自 GPU 与 ASIC 两大领域，其中 GPU 对频宽与容量的要求高于 ASIC，使其成为带动 HBM 世代升级的核心动能。 以 2025 年产品规格来看，NVIDIA GB200／GB300 分别采用 HBM3E 8-high／12-high，AMD MI350 则导入 HBM3E 12-high；相较之下，CSP 自研 ASIC 多以 HBM3E 8-high 为主，规格相对温和。
进入 2026 年后，随着新平台陆续推出，HBM 规格需求将同步上移。预期于 2H26 上市的 NVIDIA R100 将正式采用 HBM4 12-high，成为下一波位元需求成长的主引擎；同时，近期出货预估不断上修的 Google TPU v7 也将从 HBM3 升级至 HBM3E，加速推升 2026 年 HBM 的位元出货量。
整体而言，GPU 世代更新与 ASIC 渗透率提升将共同驱动 2026 年 HBM demand 加速成长，使 HBM4 与 HBM3E 成为市场的主流需求来源。
HBM3E 价格回落，唯 HBM4 持续维持强势定价力
HBM 的 ASP 受到供需双重因素牵动。供给面中，由于 HBM 为 DRAM 中毛利最高的产品，原厂在扩产策略上皆将其列为优先投入对象，因此产能开出速度将直接左右 ASP 的走势。需求面则由于 HBM 几乎以「一年一代」的速度更新，当新产品推出后，下游客户会迅速转向新世代，导致旧世代产品的 ASP 明显下滑。
在此背景下，2026 年将迎来 HBM 价格结构的重要转折：随原厂扩产陆续完成、且 HBM4 认证进展加速，整体供给环境将由 2025 年的高度紧俏转向供给改善，使 HBM3E 首当其冲面临价格压力，ASP 预期在 2026 年 年减约 17%，反映市场逐步迈入供需再平衡。
然而，最新一代的 HBM4 仍处于初期量产阶段，且认证时程与技术成熟度在三大原厂间存在分歧；同时 Rubin 与 CSP 自研 ASIC 的强劲需求持续支撑高规格 HBM 采用，使 HBM4 在 2026 年仍维持高度紧俏。因此，在所有 HBM 世代中，HBM4 将是唯一能在 2026 年维持强势定价能力的产品线。
小结：2026 年记忆体全面转入供不应求，NAND 受惠最高
整体而言，NAND 与 DRAM 均预计在 2026 年进入因供给收敛所导致的结构性供不应求阶段；HBM 虽有部分世代逐步迈向供需平衡，但 HBM4 的初期紧俏与位元出货的大幅增加仍将推动市场维持强劲成长。
在三大记忆体产品线中，NAND 的受惠程度预期最为明显，主要因为供给端持续下降的同时，需求端自 AI 资料中心与企业级 SSD 所带来的增量远超市场原先预期。 综合供需双强动能，NAND 供应商在 2026 年有望迎来获利与价格动能同步走强的最有利环境。
台湾焦点个股
台湾记忆体相关企业多位于产业中下游，包括承接原厂订单的模组厂与封测厂，其获利高度受制于原厂产能配置与价格循环，对 DRAM／NAND 报价变动具高敏感度。因此在 2026 年全球记忆体迈入供不应求周期时，台湾焦点个股可关注较不受原厂供给策略影响、深耕利基型市场、或掌握高毛利关键技术的厂商。
群联（8299.TW）
群联为全球领先的 NAND Flash 控制 IC 与模组整合方案供应商，合作客户涵盖 Kioxia、 Micron、 Kingston、 Seagate 等国际记忆体品牌与原厂。群联的商业模式依客户需求区分为纯控制器销售与模组整机出货两大方向。过去群联以消费型 USB／记忆卡为主要市场，但随产品组合持续升级，至 3Q25 非消费性应用占比已达 80% 以上，反映公司已成功转型为全方位储存解决方案供应商。
展望 2026 年，群联的成长动能将主要来自三大方向：
- 企业级 PCIe Gen5 SSD 业务与 DDN 合作，有望使企业级 SSD 在 2025/2026 年营收比重提升至约 10%/14%，成为未来两三年的核心成长引擎。
- aiDAPTIV+ 软体方案预期 2026 年起将逐步打入 PC 与边缘装置，搭配自家控制器与模组形成一体化解决方案。
- 凭借长期与 NAND 原厂合作关系与稳定供应链管理，在 2026 年 NAND 供给趋紧、原厂产能几乎售罄的环境下，群联仍能取得充足供给与 BT 基板资源。
整体来看，群联 2026 年在价格循环强势、企业级 SSD 放量与 aiDAPTIV+ 商业化动能推动下，公司有望维持高成长与高获利韧性，并巩固其于全球 NAND 控制器与储存模组供应链中的关键枢纽地位。
华邦电（2344.TW）
华邦电为台湾利基型记忆体 IDM 厂商，营运主轴涵盖 Code Storage Flash、客制化记忆体解决方案 CMS、以及转投资新唐的 MCU 与其他逻辑 IC 业务，是全球前五大 DRAM 制造商之一。
展望 2026 年，华邦电将同时受惠于三大成长动能：
- DDR4 与利基型 DRAM 产能持续收敛，利基 DRAM 供给出现长期缺口，带动 DDR3/DDR4 报价自 2H25 起上涨并可望延续至 2026 年。
- NOR 受原物料成本上升与终端需求回温推动，自 3Q25 起价格进入温和上升趋势，SLC NAND 则因供给吃紧与工业、车用与伺服器需求支撑，预期 4Q25 起涨势延续。
- 大幅扩张资本支出与 CUBE 中长期放量，奠定后续成长曲线。
整体而言，华邦电以利基型 DRAM＋NOR/SLC NAND＋CUBE为核心的差异化策略，成功避开与韩系与美系记忆体大厂在标准型 DRAM/NAND 上的正面竞争，成为全球利基记忆体与 NOR 市场的重要供应商。随着 AI 应用带动的记忆体上行循环延续至 2026 年以及 16nm DRAM 与 CUBE 中长期量产，华邦电有望在 2026–2027 年迎来营收与获利爆发。
