重点摘要
- Micron (MU) FY 4Q25 营收 113.15 亿美元，毛利率 45.7%，EPS 3.05 美元，大幅优于市场共识和已上修的公司展望。
- Compute and Networking 部门本季营收达 45 亿美元，占公司总营收 40%，季增 34%，主要受惠于位元出货大幅增加；毛利率提升至 59%，较上季增加 120 个基点，主要因成本下降所带动。
- FY 1Q26 财测展望：营收 122-128 亿美元，毛利率中位数 51.5%，EPS 3.6-3.9 美元，亦优于市场预期。
- Micron 成为首家成功量产并出货 1γ DRAM 的公司。
- 爱达荷州的 ID1 晶圆厂已获得美国 CHIPS 补助金拨款，预计于 2H27 投产并生产首批晶圆。同时，公司也已启动位于爱达荷州的第二座晶圆厂 ID2 规划，预期自 2028 年起提供额外产能。
- HBM 业务已连续多季维持强劲成长，于 FY 4Q25 营收提升至近 20 亿美元，主要受惠于 HBM3E 产品加速放量。HBM 市占率持续攀升，并有望在 FY 1Q26 与整体 DRAM 市占率达成一致。
- 近期已开始出货 HBM4 客户样品，12 层堆叠技术进度如期推进，并与台积电合作生产 HBM4E 基底逻辑晶片，产品涵盖标准版与客制化版本。
- HBM 客户群已扩大至六家，公司已与几乎所有客户达成定价协议，涵盖 2026 年全年大部分的 HBM3E 供应量。目前亦正与客户积极协商 HBM4 的规格与出货量，预期将于未来数月内完成协议，并售罄 2026 年全年 HBM 的总供应量。
- 各终端市场的客户库存水准维持健康，特别是资料中心需求持续强劲。中期来看，DRAM 与 NAND 的产业位元需求 CAGR 预期将维持在中十位数百分比水准；供给面则预期至 2026 年 DRAM 产业将进一步收紧，而 NAND 市场环境亦将持续改善。
FY 4Q25 财务概况
简明损益表
| 单位：百万美元 | FY 4Q25 | 公司预期 | 市场共识 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 11,315 | 11,200 | 11,154 | 21.7% | 46.0% |
| 营业毛利 | 5,169 | - | 4,940 | 42.7% | 82.9% |
| 营业利益 | 3,955 | - | 3,678 | 58.8% | 126.6% |
| 税后净利 | 3,469 | - | 3,184 | 59.1% | 158.5% |
| EPS(元) | 3.03 | 2.85 | 2.84 | 58.6% | 156.8% |
重要财务比率
| FY 4Q25 | 公司预期 | 市场共识 | QoQ | YoY | |
|---|---|---|---|---|---|
| 毛利率 | 45.7% | 44.5% | 44.3% | 6.7 ppts | 9.2 ppts |
| 营利率 | 35.0% | - | 33.0% | 8.2 ppts | 12.4 ppts |
| 净利率 | 30.7% | - | 28.5% | 7.2 ppts | 13.3 ppts |
产品营收占比
| 单位：百万美元 | FY 4Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|
| DRAM | 8,984 (79%) | 27% | 69% |
| NAND | 2,252 (20%) | 5% | (5%) |
| Other (primarily NOR) | 79 (1%) | 5% | 34% |
应用营收占比
| 单位：百万美元 | FY 4Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|
| Compute and Networking | 4,543 (40%) | 34% | 214% |
| Core Data | 1,577 (14%) | 3% | (23%) |
| Mobile | 3,760 (33%) | 16% | 25% |
| Embedded | 1,434 (13%) | 27% | 17% |
- 云端记忆体事业群（CMBU）营收达 45 亿美元，占公司总营收的 40%，季度营收成长 34%，主要受惠于位元出货大幅增加；毛利率提升至 59%，较前季改善 120 个基点，主要来自成本下降。
- 核心资料中心事业群（CDBU）营收达 16 亿美元，占公司总营收的 14%，季度营收成长 3%；毛利率提升至 41%，较前季增加 400 个基点，主要受惠于售价上扬与产品组合优化。
- 行动用户事业群（MCBU）本季营收达 38 亿美元，占公司总营收 33%，季增 16%，主要受惠于 DRAM 出货量成长及价格改善。MCBU 毛利率提升至 36%，较上季增加 12 个百分点，反映价格上升与产品组合优化效益。
- 汽车与嵌入式事业群（AEBU）本季营收达 14 亿美元，占公司总营收 13%，季增 27%，主要受惠于位元出货量增加。AEBU 毛利率提升至 31%，较上季增加 540 个基点，受惠于价格上涨。
FY 1Q26 展望
| non-GAAP (百万美元) | 公司预期 | 市场共识 |
|---|---|---|
| 营业收入 | 12,200 - 12,800 | 11,906 |
| 毛利率 | 51.5% | 45.7 |
| EPS (美元) | 3.6 - 3.9 | 3.05 |
关键讯息
技术更新
- 1γ DRAM 节点较前一代制程速度提升 50%，并已成为业界首家成功量产并出货 1γ DRAM 的公司。
- G9 NAND 量产进展顺利，目前在该节点已同步推进 TLC 与 QLC NAND 的量产，其中 G9 QLC NAND 已通过企业级储存应用认证，并依市场需求稳健扩产。
制造产能更新
- 爱达荷州的 ID1 晶圆厂已获得美国 CHIPS 补助金拨款，预计于 2H27 投产并生产首批晶圆。同时，公司也已启动位于爱达荷州的第二座晶圆厂 ID2 规划，预期自 2028 年起提供额外产能。
- 新加坡的 HBM 组装与测试厂建设进展顺利，预计自 2027 年起将开始 HBM 的供应。
资料中心＆伺服器需求
- 预期 2025 年全球伺服器出货量将成长约 10%，高于先前预估的中个位数百分比；传统伺服器的成长展望也由原先的持平显著上修至中个位数百分比，此调整部分源于 AI agent 的快速发展。
- 企业端传统伺服器应用的持续扩张进一步推升额外需求。除了传统伺服器外，AI 伺服器的成长动能仍然强劲，传统与 AI 伺服器的同步增长正共同推动对公司 DRAM 产品的强劲需求。
- FY 2025 资料中心业务营收占比创新高，达公司总营收的 56%，毛利率亦提升至 52%。
HBM
- HBM 业务已连续多季维持强劲成长。FY 4Q25 营收提升至近 20 亿美元，主要受惠于业界领先的 HBM3E 产品加速放量。
- HBM 市占率正持续提升，并有望在 FY 1Q26 与整体 DRAM 市占率达到一致。
- HBM4 12 层堆叠进度如期推进，将能支援客户平台的量产时程。
- 近期已出货 HBM4 客户样品，具备业界领先的超过 2.8 TB/s 频宽与超过 11 Gbps 的引脚速度。
- 已量产的 1β DRAM、创新且高效能的 HBM4 设计、自制的先进 CMOS 基底晶片，以及先进封装创新，都是支撑此同级最佳产品的关键差异化优势。
- 与台积电合作，生产 HBM4E 的基底逻辑晶片，涵盖标准版与客制化产品。预期具备客制化基底逻辑晶片的 HBM4E，将能带来高于标准版 HBM4E 的毛利率。
- HBM 客户群已扩大，目前涵盖六家客户。
- 已与几乎所有客户达成定价协议，涵盖 2026 年历年大部分的 HBM3E 供应量。
- 正与客户积极讨论 HBM4 的规格与出货量，并预期在未来数月内完成协议，售罄 2026 年历年的 HBM 总供应量。
LPDRAM
- 伺服器用 LPDDR5 本季环比成长超过 50%，并创下历史新高营收。
- 与 NVIDIA 密切合作，率先推动伺服器采用 LPDRAM，自 NVIDIA 在其 GB 系列产品中导入 LPDRAM 以来，Micron 一直是资料中心唯一的 LPDRAM 供应商。
NAND
- AI 推论应用如 KV 快取分层与向量资料库搜寻与索引，正在带动对高效能储存的需求，而 AI 伺服器的成长则推升对高容量 SSD 的需求。
- 推出业界首款 G9 NAND 资料中心产品，包括全球首发的 PCIe Gen6 SSD。
- 预期资料中心储存市场将持续成长，HDD 供给短缺有望改善 NAND 需求，并推动供需环境朝更健康方向发展。
个人电脑 PC
- Windows 10 的终止支援以及 AI PC 的更广泛采用，正推动 PC 需求展望改善。
- 预期 2025 年全球 PC 出货量将成长中个位数百分比，高于先前预估的低个位数成长。
- 完成了首家 OEM 客户对 16Gb、1γ 制程的 DDR5 的认证，并已开始量产出货。
- NAND 方面，成功通过 OEM 客户对首批 G9 NAND SSD 的认证，涵盖高效能与主流两大类别。
- 凭借强大的 SSD 产品组合，在本季及 2025 会计年度双双创下用户端 SSD 营收新高。
行动装置 Mobile
- 对 2025 年全球智慧手机出货量的预期维持不变，仍落在低个位数百分比的成长区间。
- AI 智慧手机占比的持续提升，仍是推动行动装置 DRAM 容量成长的关键因素。
- 2025 年第二季出货的旗舰智慧手机中，有三分之一配置了 12GB 以上记忆体，随着 Apple、Samsung 及其他智慧手机 OEM 的新产品发表，预期未来数季此占比将进一步提高。
- Micron 停止行动管理型 NAND 的产品开发，以专注资源与投资于投资报酬率更高的产品机会。
- 完成了首款 10.7 Gbps、1β 第二代 LPDDR5X 产品的 OEM 认证。
汽车工业
- 本季汽车与工业领域需求持续增强，超出最初的预期。
- 受惠于价格改善，以及更高比重的先进制程节点，获利能力逐渐提升。
- 在 DDR4 与 LPDDR4 方面，供给仍然偏紧。为了支援长生命周期客户对 DDR4 与 LPDDR4 的需求，于 6 月宣布将投资位于维吉尼亚州的厂房。
市场整体概况
- 各终端市场的客户库存水准保持健康。
- 预期 2025 年全球 DRAM 位元需求成长将达到高十位数百分比，较先前预期有所上调；同时，全球 NAND 位元需求成长亦高于原先展望，预估将落在低至中十位数百分比区间。
- Micron 2025 年的位元供给成长，预计将低于产业对非 HBM DRAM 与 NAND 的位元需求成长。
- 资料中心需求强劲，包括伺服器出货量的增加，已推动 DRAM 市场趋紧并强化 NAND 市场环境。此外，终端市场需求的广泛扩大，也进一步压缩了 DRAM 的供给。
- 在供给面，预期由于供应商库存偏低、节点转换受限、新晶圆产能建置的交期更长且成本更高，这些因素都将限制 2026 年 DRAM 供给成长的速度。
- 预期至 2026 年，DRAM 产业供给将进一步收紧，NAND 市场环境亦将持续改善。中期而言，DRAM 与 NAND 的产业位元需求 CAGR 预期将维持在中十位数百分比水准。
2026 年展望
- Micron FY 2025 的资本支出达 138 亿美元，随着持续加大在 1γ DRAM 与 HBM 的相关投资，预计 2026 会计年度资本支出将高于 2025 年，其中 DRAM 前段制程设备投入与晶圆厂建设将成为推动支出增加的主要因素。
- 持续进行制程节点转换至 1γ，成为 2026 年 DRAM 供给成长的主要来源。
Q&A
营运相关
Q1：马克，我想知道您是否能提供一些关于收入指引的帮助。我知道您不想透露太多细节，但对于今年的连续12亿美元收入，您能帮我们区分DRAM和NAND的分配吗？另外，任何关于毛利率的投入和收益也会有帮助。
第一季度DRAM的产品组合将比NAND更重。我们不会细分位元和ASP，但预计毛利率将连续上涨580个基点，受产品组合、定价和成本削减的强力执行驱动。我们正处于建设性的定价环境，DRAM供应紧张，NAND供应显著改善，需求和供应因素均强劲。
Q2：关于毛利率，概念上您如何看待今年剩余时间的毛利率变化？51.5%是基准吗？只要销售额增长，能否从这个水平扩大？另外，云端资料中心业务的营运利润率为48%，从目前的高水平还有多少扩展空间？
我们不提供季度指引，但预计毛利率将比第二季度有所改善。这得益于DRAM供应紧张及相关定价、NAND业务持续改善，以及我们将产品导向高价值市场的混合效应。我们的成本表现持续良好，供需因素持久，资料中心支出增加，传统伺服器、边缘设备和汽车的内容需求也在增长。供应方面，客户库存健康，我们的DRAM库存低于目标，NAND持续改善。我们预计2026年HBM和非HBM的利润率都将保持健康。
Q3：净资本支出似乎为180亿美元，去年为138亿美元。您提到前端设备、无尘室空间和DRAM，能否区分设备和无尘室的比例？2026财年的隐含总资本支出是多少？
2026年的支出主要用于DRAM，包括建设、设施和节点转换的工具，以及新绿地项目的初步安装。我们预计净资本支出约180亿美元，通常以净额讨论，即总资本支出减去政府激励措施的收益。2025年的总支出为158亿美元，政府激励措施为20亿美元，来自美国、新加坡和日本，未来可进一步讨论。
Q4：库存天数已达目标水平，DRAM甚至低于目标。考虑到3E 12-high RAM和非AI DRAM的强劲需求，本季度总库存和DRAM库存如何？库存天数会继续下降吗？供应紧张下，交货时间是否延长，客户是否提前下订单，这是否提高了2026年的可见度？
我们预计库存天数将保持或优于第四季度水平。DRAM供应将持续紧张，预计低于目标。NAND市场持续改善，库存天数也将下降。我们在NAND方面保持严谨管理。我们与客户密切合作，客户了解需求强劲且DRAM供应紧张。我们正透过1 gamma支持非HBM和HBM产品需求，使用1-beta晶圆，并专注于最大化生产效率和技术转型。
市场需求
Q5：您之前提到2028年HBM TAM为1亿美元，但考虑到NVIDIA的TM数字和投资，计算TAM似乎更大。您是否有更新的数字？是否比原先预期更大？对明年有何展望？
我们之前提到，到2030年HBM TAM预计达1000亿美元，HBM位元CAGR将比DRAM CAGR更快，2026年HBM位元增长将超过整体DRAM。HBM4的价值主张持续增加，美光以超过11 Gbps的最高性能产品定位良好。市场需求更高性能，我们对HBM的长期机会和2026年的表现感到乐观，记忆体是AI革命核心，HBM有巨大机会。
Q6：最近一两个月，推理超大规模器引领的DRAM需求似乎出现拐点。您能谈谈需求的广度和可持续性吗？2026财年预计紧张，对于通常季节性较慢的二月季度，是否会看到正常季节性，还是供应趋势使情况更好？
我们不提供第二季度指引，但AI趋势强劲，不仅在训练，也在推理。AI应用扩展、架构多样化，推高资料中心和边缘设备（如智慧手机）的需求。AI伺服器推动HBM、LPDRAM和高密度DRAM模组需求，传统伺服器需求也在增加。智慧手机和AI PC（受Windows 10终止推动）也增加DRAM含量。2026年供需环境将健康，供应紧张，客户和供应商库存健康，美光DRAM供应尤为紧张。
技术与产品
Q7：您如何看待从HBM3E到HBM4的转换？预计明年何时交叉？您提到2026年HBM3E定价已确定，与现在相比是高还是低？您预计明年HBM3E份额会保持不变还是改变？
HBM4将处于生产爬坡前沿，与客户时间表一致，产品性能领先业界，速度超过11 Gbps，已完成采样。首批产品将于2026年第二季度出货，下半年随客户需求增加。我们不评论HBM3E定价，但已与大多数客户完成2026年HBM3E供应的定价协议，并正在讨论HBM4。2026年整体DRAM供需健康，利于HBM和非HBM的盈利能力，预计我们的份额将成长。
Q8：随着客户在GPU和XPU平台上差异化，记忆体是关键焦点。您提到HBM4客户要求比标准高25%的频宽，美光解决方案性能高出40%，超出客户要求。是否需要重新设计基础逻辑晶片？更高性能的HBM4 SKU是否推迟客户时间表？功耗是否仍优于竞争对手？
我们为团队的执行力和设计感到自豪，DRAM晶片和基础晶片使用先进CMOS技术，结合创新记忆体架构，实现2.8 TB/s频宽和11 Gbps以上速度。这使我们在HBM4生产爬坡中保持领先，与客户需求一致。美光的CMOS基础晶片提供竞争优势，功耗也优于竞争解决方案。
Q9：您提到HBM在未来几个月可能售罄，能否量化2026年的供应机会？如果HBM需求超预期，能否在2026年增加供应？另外，HBM4提供内部基础晶片和客制化TSM逻辑晶片，预计客户选择哪个？在两者间切换有多容易？
我们不细分供应量，但HBM3E已与大多数客户完成定价和数量协议，HBM4的协议也将在未来几个月完成。HBM4使用美光内部基础晶片，2026年将开始量产；HBM4E（2027年产品）将提供标准和客制化产品，与台积电合作，客制化产品预计有更高毛利率。我们的HBM4规格领先业界，与1-beta晶圆的灵活性让我们能根据需求管理HBM和非HBM产品组合，同时保持投资纪律和ROI。
评论
Micron FY 4Q25 财报及财测展望均优于市场预期
Micron FY 4Q25 营收数据均优于市场预期，整体受惠于 AI 需求强劲，DRAM 位元出货量季增低双位数百分比，平均售价季增 20-low 百分比，价量齐扬带动 DRAM 营收季增 27%。NAND Flash 部分，虽然位元出货量季减中个位数百分比，但平均售价上升高个位数百分比。
展望 FY 1Q26，各终端市场客户库存水准维持健康，尤其资料中心需求持续强劲，PC 与传统伺服器展望亦同步上修。中期而言，DRAM 与 NAND 的产业位元需求 CAGR 预期将维持在中十位数百分比水准。供给方面，由于供应商库存偏低、节点转换受限，以及新晶圆产能建置交期更长且成本更高，将限制 2026 年 DRAM 供给成长速度。NAND 产业则出现重大转变，美系 CSP 业者大幅上修 ESSD 订单，主要因应 AI 推论带动的大容量存储需求。整体而言，记忆体市况显著好转，上行周期可望延续，将有利于 Micron 营运持续成长。
Micron 2026 年 HBM 产能几近售罄，HBM4 验证进展顺利
HBM 近年快速成长，Micron HBM 业务已连续多季维持强劲动能，FY 4Q25 营收提升至近 20 亿美元，主要受惠于业界领先的 HBM3E 产品加速放量。HBM 客户群已扩大至六家，市占率亦持续提升，并有望在 FY 1Q26 与整体 DRAM 市占率达到一致。
虽然 Samsung 通过 NVIDIA HBM3E 认证后，2026 年 HBM 供给量大幅上升，引发市场对定价的疑虑，但 Micron 在财报会议中表示已与所有客户达成 HBM3E 定价协议，并正积极协商 HBM4 规格与出货量，预期将于未来数月内完成协议并售罄 2026 年全年供应量。从毛利率财测指引与管理层展望来看，价格区间应处于良好水准。在 HBM4 方面，12 层堆叠进度如期推进，近期已出货客户样品，并与台积电合作生产 HBM4E 基底逻辑晶片，涵盖标准版与客制化版本。预期具备客制化基底逻辑晶片的 HBM4E 将带来高于标准版的毛利率。整体而言，Micron HBM 业务稳健成长，逐步化解市场对供过于求的疑虑，惟市场领导者地位仍由 SK Hynix 保持。
