记忆体四年涨幅达 700%，Samsung、 SK Hynix 与 Micron 遭反垄断诉讼指控
近期美国加州北区联邦法院受理一起反垄断集体诉讼，控告记忆体产业三巨头Samsung、 SK Hynix 与 Micron 以 AI 高频宽记忆体需求快速成长为由，协同缩减 DDR3、DDR4 供给，导致相关 DRAM 价格四年内累计上涨约 700%。 诉状指出，自 2022 年以来，三家厂商已将约 25% 的 DRAM 晶圆产能转向 HBM 生产，而 HBM 毛利率为传统 DRAM 的 3 至 5 倍。尽管 2026 年全球 DRAM 晶圆总产能预计成长 14%，实际产能分配却仅增加 10%，使供需缺口持续扩大。原告认为，三大厂商本可同步扩产传统 DRAM 以填补市场缺口，却选择将产能集中配置于利润更高的 HBM，并将此举定性为「协同减产」的新型态。 诉状亦援引苹果近期调涨 iPad 与 Mac 售价一事，主张此为上游记忆体供给收缩传导至终端市场的结果，并要求三倍损害赔偿。
诉讼起因：涨价趋势下供给保持集中
全球 DRAM 市场供给由三大原厂主导
全球 DRAM 市场供给由 Samsung、 SK Hynix 与 Micron 三大原厂主导，主要原因在于 DRAM 产业具备高度资本密集、技术密集与规模经济特性。 DRAM 生产需投入庞大的晶圆厂资本支出，并持续推进先进制程、微缩技术、良率控制与制程整合能力，进入门槛极高。同时，DRAM 属于高度标准化产品，价格容易受到供需循环影响，过去多次景气下行导致产业获利大幅波动，使缺乏成本优势与资金的厂商逐步退出市场或被整并，而随着制程难度提升与投资规模扩大，产业集中度进一步提高。
尽管近年来中国长鑫存储积极扩张，已成为三大原厂之外最具规模的 DRAM 供应商，并在部分中低阶产品线快速追赶，但三大原厂合计市占率仍超过 80%，整体市场维持高度寡占格局。 台湾方面，南亚科与华邦电亦具备 DRAM 产能，但主要聚焦于特定应用领域，在整体 DRAM 市场中的占比约为个位数。
AI 需求快速成长，推动三大原厂重心转向 HBM 生产
DRAM 的主要特性在于具备高速读写与高频宽传输能力，能够快速支援 CPU、GPU 等处理器进行即时运算，广泛应用于手机、电脑、伺服器、车用电子与各类消费性电子产品。 然而，随着 AI 需求快速成长，HBM 作为 AI 伺服器中不可或缺的高频宽记忆体，获利能力明显高于一般 DRAM，促使 Samsung、 SK Hynix 与 Micron 持续将产能优先配置至 HBM 生产。
此外，每生产 1Gb HBM 所消耗的晶圆产能约为标准型 DDR5 的 2 至 3 倍，进一步排挤传统 DRAM 供给，使非 AI 终端应用被迫分配有限的剩余产能，导致市场供需陷入长期结构性失衡。
HBM 产能排挤效应扩散，带动记忆体非 AI 应用价格同步上涨
由于一般 DRAM 产能缩减，供需失衡情形进一步反映于价格表现。根据 TrendForce 统计，2026 年第二季伺服器 DRAM 合约价格季增率达 50% 至 55%，单季涨幅甚至超过 HBM 的年度价格调整幅度。 若将时间拉长观察，自 2022 年以来，商用 DRAM 价格累计涨幅已达 700%；消费性市场方面，智慧手机使用的 Mobile DRAM 单季价格上涨 78%，笔记型电脑所使用的 SSD 价格则在一年内翻倍。即便是价格相对稳定、技术门槛较低的车用低容量 DRAM，价格亦上涨超过 50%，显示记忆体供给已呈现全面吃紧。
供需失衡延续下，过往循环经验仍使三大原厂维持谨慎扩产策略
尽管面临市场供需失衡，过往景气循环经验仍使三大原厂选择谨慎扩产。 回顾记忆体市场历史，2018 至 2021 年间，随着资料中心与云端需求快速成长，加上 5G 手机普及带动换机潮，以及疫情期间居家办公推升 PC 需求，Samsung、SK Hynix 与 Micron 面对 DRAM 需求急速增加，押注终端需求将持续成长，陆续启动大规模扩产计划，下游客户亦同步积极囤货。然而，自 2022 年下半年起，疫情期间带来的消费红利逐渐消退，PC 与智慧手机出货动能放缓，各大品牌库存水位已明显偏高，买气迅速降温。由于一座 DRAM 晶圆厂从动工到量产通常需要 2 至 3 年时间，意味着 2020 年前后启动的新产能，恰好在需求快速下滑的时间点陆续开出，进一步导致供给过剩与价格下跌。至 2023 年，产业库存压力持续累积，产线利用率维持低档，记忆体价格一度跌至前期高点的约三分之一，整体景气陷入低谷，Micron 毛利率连续数季转为负值，SK hynix 全年亏损逼近 7.7 兆韩元，Samsung 半导体业务亦受到明显拖累，亏损金额高达约 15 兆韩元。因此，历经 2023 年产业大幅亏损后，记忆体厂商更不愿重演产能过剩局面，即使当前市场供给紧俏，对新增产能投资仍维持相对保守态度，优先确保获利稳定与供需平衡。
事件影响评估：案件成因复杂、诉讼历时漫长，短期影响有限
事件发生后，市场对此消息反应相对有限，推测主要原因可归纳为以下两点：
1. DRAM 市场供需失衡成因多元，难以归因於单一因素
此次案件诉讼成功与否，关键在于法院是否认定三家公司存在恶意串谋并哄擡价格的行为。然而，DRAM 市场供需失衡的成因相对多元，较难单纯归因于供给方行为。从需求端来看，AI 仍处于快速发展初期，相关算力与记忆体需求具备较高刚性，使部分客户愿意支付高于市场水准的价格以确保供货，进而排挤其他终端应用的供给分配。
在此情况下，价高者得较偏向市场供需紧俏下的自然结果，未必能直接指向供应商操纵价格。从供给端来看，记忆体产业过去长期具备景气循环特性，且曾多次因厂商积极扩产导致供给过剩与价格下跌，因此即使进入上行周期，主要厂商仍倾向维持谨慎扩产策略，以确保获利与产业供需稳定。至于 DDR3、DDR4 等成熟产品出现供给收敛或价格异常波动，亦可被视为产品世代正常迭代下的产能转换结果，未必足以直接构成恶意操纵市场的证据。
2. 过往反垄断诉讼耗时数年，短期内难有结果
观察过往大型反垄断案件，由于指控方通常需要投入大量时间搜集证据并证明垄断或串谋行为，加上败诉方往往会透过上诉程序寻求推翻判决，使相关诉讼时程普遍拉长，案件持续时间常超过 5 年。 因此，相较于数年后才可能出现的诉讼结果，市场短期内更关注记忆体供给紧俏与价格上行趋势对产业基本面的实质影响。
| 案例 | 对象 | 所属产业 | 起因／主要指控 | 诉讼持续时间 | 结果 |
|---|---|---|---|---|---|
| IBM 反垄断案 | IBM | 大型电脑、主机系统 | 美国政府指控 IBM 在通用数位电脑市场透过排他与掠夺性行为维持垄断，包括软硬体绑售、价格策略等。 | 约 13 年 | DOJ 与 IBM 以撤案结束，未拆分。 |
| Microsoft 浏览器案 | Microsoft | 作业系统、浏览器、软体 | DOJ 指控 Microsoft 利用 Windows 作业系统优势，限制竞争。 | 约 3–4 年和解 | 2001 年达成和解未拆分；最终判决要求 Microsoft 改变部分授权与排他行为。 |
| DRAM 价格操纵案 | Samsung、Hynix、Micron 配合调查 | 记忆体 DRAM | DRAM 厂商被指控在 1998–2002 年间协调报价、交换价格资讯，对客户造成价格扭曲。 | 约 4 年 | Hynix 2005 年同意认罪并支付 1.85 亿美元罚金；Samsung 同年因 DRAM 价格操纵支付 3 亿美元罚金。 |
| LCD 面板价格操纵案 | AU Optronics 等 LCD 面板厂 | 面板、显示器 | 多家 LCD 厂被指控透过长期会议协调 TFT-LCD 面板价格，影响终端产品成本。 | 约 5–6 年以上 | 友达光电 2012 年被判支付 5 亿美元刑事罚金，前高层也遭判刑。 |
| 美国 Google Search 案 | 搜寻、搜寻广告、浏览器入口 | DOJ 指控 Google 透过预设搜寻引擎、排他性合约与收入分润安排，维持搜寻垄断。 | 约 5 年 | 美国地方法院 2025 年 remedies 包括禁止部分排他性搜寻合约、要求提供部分搜寻资料与广告服务给竞争者。 |
小结
整体而言，此次记忆体反垄断诉讼虽反映市场对 DRAM 价格快速上涨与三大原厂产能配置策略的高度关注，但案件成因并非单纯来自供给方行为，而是 AI 需求快速成长、HBM 产能排挤、传统 DRAM 供给收敛、产业过往循环经验与厂商谨慎扩产策略等多重因素共同作用的结果。
法院后续能否认定 Samsung、SK hynix 与 Micron 存在恶意串谋，仍需经过长时间证据搜集、产业资料比对与法律攻防，且参考过往大型反垄断案件经验，相关诉讼往往历时数年甚至更久，短期内难以对产业供需或公司营运造成实质影响。 因此，相较于诉讼结果本身，市场短期更可能聚焦于记忆体供给紧俏是否延续、HBM 产能排挤效应是否进一步扩散，以及 DRAM 价格上行对三大原厂获利能力与产业景气循环的实际影响。
